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碳集成电路的技术与前景 摘要： 2.碳集成电路的技术基础 3.碳集成电路研究的前沿动态 4.碳纳米材料在电子学实际应用所遇到的困难 5.以碳为主要半导体材料的新电子学在未来的发展前景 关键词： 摩尔定律，量子瓶颈，碳纳米材料，碳集成电路。 引言： 由摩尔定律所描述的现代电子学技术与工艺的发展遇到了可能是有史以来最大的挑战——单位面积集成规模的继续增大与微观尺度下量子不确定性的影响相互作用导致了计算速度提升的极大困难。电子学需要一种革命性的改变，而碳纳米管、石墨烯等以碳为基础的材料制作工艺的提高为产业与技术研究的革命提供了明确和可行的方向。本文便主要讨论碳基集成电路的技术与前景。 碳集成电路的技术与前景 我们从Band gap)也普遍大于其他半导体材料。在对计算速度要求更加苛刻的未来世界，硅的固有性质必然无法满足实际生产的需求。 这种情况下，寻找物理性质更好的，同时又易于工业化生产的“新”半导体材料尤为重要。而碳，作为与硅同族的易于获得的材料，其开发前景不容忽视。 虽然碳在宏观角度并不属于狭义的半导体材料范畴(元素周期表金属与非金属元素分界线上下元素构成的物质被称为狭义的半导体)，但当碳材料作用的尺度减小至纳米量级时，其优秀的半导体性质才被人们发现。首先，碳材料有着硅半导体材料难以比拟的电子迁移率与空穴迁移率，同时，在高频响应方面，几乎没有任何半导体材料能和纳米级的碳材料相媲美(碳纳米管的RC震荡响应频率高达6.3THz，)。以碳纳米管(如右图) 为例，碳纳米管作为一维纳米材料，重量轻，2008年ERD/ERM 工作小组在详细考察了所有可能的技术后向IRC推荐了唯一的选择：碳基纳米电子学2009年，路线图委员会（IRC）支持ERD/ERM 工 作小组选择碳基纳米电子学作为需要重点关注和投资的技术，用以加速半导体电子产业的发展目前各实验室与公司对碳纳米材料的主要研究成果集中在碳纳米材料的集成方面。首先，平行超长SWCNT阵列的控制生长技术的实现密度可控的高质量平行超长单壁碳纳米管阵列，目前长度可达毫米量级通过改变载流子向纳米管的注入来实现电子型（注入电子）和空穴型（注入空穴）场效应晶体管碳纳米管的弹道CMOS集成技术只需交替在碳纳米管上镀电极和沉积氧化物。低成本、高性能、低功耗的碳基纳米集成电路，碳基电子/光电子集成系统。 对于32纳米技术节点(通道长度20纳米)的器件相对误差可能高达20-50%杂质数目可能小到几十到100，统计涨落可能高达几十%以上。杂质原子在电流下可能发生移动，对器件性能产生不可预料的影响。，假设碳纳米管间距为100纳米，电极宽度30纳米，沟道间距30纳米，一个晶体管尺寸约100平方纳米那么在一根1厘米长的碳纳米管上可集成105个晶体管，即实现超大规模集成电路信息技术的几次重大革命都是由物理学家推动的：晶体管、激光器、万维网等的发明1.《计算机百科全书》 2.《Science》 20 February 2009 VOL323 3.《Nature》 7 July 2005