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MEMS滤波器耦合封装的研究 殷学会1’2，李承芳1，吴晓平2，胡强高2 (1．武汉大学物理系，武汉，430072； 2．武汉光迅科技股份有限公司武汉430073) 摘要：利用光场的耦合理论讨论了影响中心轴平行的高斯光束耦合效率的因素；根据光线变换矩阵原 理分别推导了多层介质膜作用于反射光线和透射光线的ABCD矩阵，以及MEMS滤波器作用于透射光线的 ABCD矩阵；基于这些讨论，采用q参数变换法计算出高斯光束通过MEMS—FP腔后的场强分布是束腰分立的、 位于入射高斯光束束腰左右的一系列高斯光束；如果选择腰斑半径合适的耦合准直器，那么分立的束腰 位置对准直器并HMEMS—FP出射光束的耦合几乎没有影响。 关键词：MEMS、可调滤波器、高斯光束、ABCD矩阵 中图分类号：TN205 文献标识码： 1、引言 光可调滤波器在光通信密集波分复用、分插复用、光谱仪、调谐激光器和光传感等领域中有着重要 的应用¨q1。与其他类型的可调谐滤波器相比，MEMS滤波器因其插损小，带宽窄，通道隔离度大，调谐 范围大，调谐速度高、易批量生产、易集成等优点，成为一个研究荆点。而MEMS滤波器耦合封装又是 保证其优良光学性能和走向市场的关键，所以必须对MEMS滤波器耦合封装的进行研究。 MEMS可调谐滤波器一般是一个FP腔结构17呷1，两个平面镜均由高低折射率薄膜层交替组成的分布 布拉格反射镜(DBR)构成。上DBR多使用悬臂、桥式或薄膜结构，以便能在静电力的作用下上下移动。 考虑到MEMS可调谐滤波器的结构特点、准直器的出射光束为高斯光束，本文首先利用光场的耦合理论 讨论了影响中心轴重合的高斯光束耦合效率的因素。然后根据光线变换矩阵原理分别推导了多层介质膜 高斯光束通过MEMS—FP腔后的场强分布。最后基于这些讨论，给出了MEMS可调滤波器的最佳耦合封装 方法。I结论不仅能应用于准直器和MEMS调谐滤波器的耦合，而且有利于指导MEMS调谐滤波器的集成。 2、中心轴平行的高斯光束的耦合 ＼ L．／／ ＼、—、——等I——_-一一一一一．。。：…一一一一一一。 一一一一·?¨I…一一op一 ／—n‘／／—T～＼、 i卜————一A扣————一 schematicof Gaussbeams Fig．1 two withparallelaxes Coupling 图1中是中心轴平行，腰斑半径分别为∞。和∞z的两束高斯光束。假设两束高斯光束中心轴之间的 距离为Ax，束腰的距离为Az。以腰斑半径为∞。的高斯光束的中心轴为z轴、束腰与中心轴的交点为 原点建立坐标系，可以得到腰斑半径为∞。的高斯光束的场强空间分布为¨引： 即剐一半]exp[书掣…留别… 一 2z 磁=缈 k=—— 弘z舱)2]z每五 腰斑半径为∞z的高斯光束的场强空间分布为： 。 耻纠一％牛H书刊m嗡攀…留等]) 国家“863”计划通用光电子材料、器件与集成技术专题资助项目(2002AA312200) tel：027—6344952l E—mail：xuehui．yin@accelink．com 收稿日期： 175 ％=C02 ， 黝； ／22亍