数字电子技术基础 教学课件 作者 赵莹CH8 CH83.PPTVIP

半导体存储器和可编程逻辑器件 8.3 随机存取存储器 — RAM (Random Access Memory) 优点：读、写非常方便，使用起来更加灵活。 缺点：断电时存储的数据会随之消失，不利于数据和信息的长期保存。 双极型 （TTL）功耗大、速度快 MOS型 功耗低、速度较慢 RAM 大容量存储器使用动态RAM， 小容量存储器使用静态RAM。 1、SRAM 的结构 CS R / W I / O A0~An 8.3.1 静态随机存取存储器 — SRAM 2、SRAM 存储单元 基本工作原理： VF6 VF5 VF8 VF7 D D Xi Yi S R 位 线 B 位 线 B T5、T6 — 门控管 控制触发器与位线的连通 截止 截止 ? ? 导通 导通 0 截止 截止 ? ? 0 1 导通 导通 读操作时: 写操作时: T7、T8 — 门控管 控制位线与数据线的连通 0 0 1 VF1~VF4构成RS锁存器 DRAM 存储单元及基本工作原理 8.3.2 动态随机存取存储器 — DRAM 原理：电容的电荷存储效应。 当电容C充有电荷时，相当于存储1值，反之为0值。 1、字长（位数）的扩展 8.3.3 存储器容量的扩展方法 用4个4k×4位的RAM芯片扩展成4k×16位的存储系统 2、字数的扩展 8.3.3 存储器容量的扩展方法 字数的扩展可以利用外加译码