高特性GaAs基异变谐振腔增强型1.55μmInGaAs光电探测器.pdfVIP

高特性GaAs基异变谐振腔增强型1.55μmInGaAs光电探测器 刘少卿1 韩勤1杨晓红1倪海桥2贺继方2王欣1李彬1牛智川2 1中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京 100083 2中科院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室 摘要：本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μmInGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件 的外延结构由分子柬外延系统 （MBE）生长。底镜和顶镜分别是由20对AlAs/GaAs分布布拉格反射器 （DBR）和两对Ta2Os/SiO2DBR 组成，腔内InGaAs和GaAs之间的失配应变由线性缓变的IrxAl0.4Ga0.6-xAs缓变层调节 （In组分由0.02线性变化到0.5）。器件 的暗电流在0V和-5V时分别为29pA和2.1nA，响应度在1.55μm波长达到76.8％，半高全宽为12nm，并获得高达12GHz的3-dB 带宽。 关键词：GaAs；InGaAs；异变；谐振腔增强型 O475 A High-efficiencyandhigh-speedmetamorphicresonantcavity enhancedInGaAsphotodetectorsonGaAssubstrate ShaoqingLiuQinHanXiaohongYangHaiqiao,NiJifang,HeXinWangBinLi StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics.InstituteofSemiconductors.ChineseAcademyofSciences,Bei.jimg100083,China Abstract:Inthisletter,wedemonstratedatop-illuminatedmetamorphic-resonantcavityenhanced(RCE)1.55μrnInGaAspartially depletedabsorber(PDA)photodetectoronGaAssubstrata.Thephotodetectorsweregrownbysolid-sourcemolecularbeamepitaxy system.TwopairsTa2Os/SiO2distributedbraggreflector(DBR)whichweregrownbyionbeamsputteringserveasthetopmirror. Bottommirroriscomposedof20pairsAlAs/GaAsDBR.ThelargemismatchstrainbetweenInGaAsandGaAsinthecavitywas accommodatedbyalinearlygradedIn,Alo.4Ga0.6-(2)Asbufferlayer(Indiumcontentlinearlychangedfrom0.02to0.5).Alowdarkcurrent of29pAat0Vand2.InAat-SVreversebiaswasobtained,respectively.Thephotodetectorachievedaquantumefficieneyof76.8％ at 1.551rnwithafullwidthathalfmaximum(FWHM)of12umandahigh3-ribbandwidthupto12GHz. Keywords:GaAs；InGaAs；metamorphic；RCE 第十七一,R-mfir．奢物牛●r俸．捌‘渡■l伟和光’0肆件拳术◆议 而且GaAs衬底比InP衬底便宜的多114q6|。 本文介绍了一种GaAs基顶部入射的异 变RCE探测器的设计、生长、制作和特性分 析。器件显示出了低暗电流、高量子效率和 高速特性。 2实验 器件的外延结构由分子束外延系统生长 在GaAs衬底上。先生长300nm厚的GaAs Sl；-^^_b‘姐 缓变层后，接着生长20对非掺杂的 AlAs(134．3nm)／GaAs(113．6nm)DBR作为底 镜，其理论反射率在1550nm波长为99．4％。 图l异变RCE探测器截面结构图