蒙特卡罗方法对工业用X射线机辐射源项的模拟.pdfVIP

第十一届全国蒙特卡罗方法及其应用学术交流会论文 蒙特卡罗方法对工业用蒙特卡罗方法对工业用X射线机辐射源项的模拟X 射线机辐射源项的模拟 蒙特卡罗方法对工业用蒙特卡罗方法对工业用XX 射线机辐射源项的模拟射线机辐射源项的模拟 王宏良，谢占军，张云涛，冀东，黄春峰 （中核第四研究设计工程有限公司，河北 石家庄 050021） 摘 摘 要要：：本文使用蒙特卡罗程序MCNP建立了X射线探伤机的计算模型并进行实例计算，其结果与经验公式法的剂量计算 摘摘 要要：： 结果进行对比。从对比结果得出MCNP源项模拟方法应用于工业X射线机辐射源项是可行的，但需要进一步结合试验测量 加以验证。 关键词：关键词：工业X射线探伤机；辐射源项；MCNP软件 关键词关键词：： 中图分类号：中图分类号：TL75 文献标志码文献标志码：：A 中图分类号中图分类号：： 文献标志码文献标志码：： 引言 工业 X射线探伤是一种无损探伤，其基本工作原理是通过X 射线透照物体检查其内部缺陷，已在 [1] 机械制造、石油、化工、冶金等工业广泛应用 。目前工业 X 射线探伤机种类繁多，一般研发生产过 程更加重视其探伤工艺性能，对X 射线机的辐射特性研究较少。在辐射防护设计和辐射环评工作中， 对于 X射线机产生的辐射剂量率，只能通过公式法计算。但是不同种类的探伤机结构成分均有区别， 使用公式法计算带来较大的误差。本文通过蒙特卡罗方法计算结合实测的方法，尝试得到 X射线探伤 机的辐射源项。 本文选用的蒙特卡罗方法计算程序 MCNP，MCNP 程序是美国 Los Alamos 试验室研制开发的一个大 型的多功能的蒙特卡罗中子、光子及电子耦合输运程序。随着计算机的发展，MCNP 的版本也随之改进 和发展。常用的输运模型有：只有中子、只有光子、只有电子、光子-中子（光子通过中子相互作用产 生）、中子-光子、电子-光子。应用 MCNP4C 解决粒子运输问题中的 Monte Carlo 计算，关键是按照软 件要求的格式编写 MCNP 的输入文件（默认文件名为 INP，又称输入卡），难点是准确理解 MCNP4C 中 的理论模型和输入卡中各参数的物理意义。输入卡包括以下三个部分：①栅元描述卡；②曲面描述卡； ③数据描述卡。其中，栅元描述卡和曲面描述卡构造了一个划分有若干区域的几何空间与曲面，数据 描述卡则指出了粒子运输模型、源的能量及分布、各栅元空间的材质和记数类型等。这三种描述卡相 互关联，描述时要根据程序目标而采用多种技巧。MCNP 在程序运行后将装入输入卡数据，并调用MCNP 系统的核数据交叉库文件，最后将计算结果输出到输出文件（默认文件名为OUTP）中。 1 X射线机的MCNP模型 X 射线装置主要由 X射线管和高压电源组成。X 射线管由安装在真空玻璃壳中的阴极和阳极组成。 阴极是钨制灯丝，它装在聚焦杯中。当灯丝通电加热时，电子就“蒸发”出来。聚焦杯的作用是使这 些电子聚焦成束，直接向嵌在铜阳极中的靶体射去。高压加在X 射线管两极之间，使电子在射到靶体 之前被加速到很高的速度。当电子到达靶原子核附近时，在原子核库仑场的作用下，运动突然受阻， 其能量以电磁波（X射线）的形式放出。 根据 X射线的产生原理，我们建立了定向射线管的MCNP模型，使用单能定向的电子束打到钨靶上 产生 X 射线，钨靶受照面为斜面，X 射线从斜面开始向空间散射，出射 X 射线能量较为杂散，且低能 部分占比重较大，需要采用滤片屏蔽掉部分 X射线，提高出射X 射线的有效成分，计算过程的过滤片 为 5mm厚的 Cu，电子斜面打靶模型见图 1。240kV定向 X 射线管的过滤前后 X射线能谱见图 2。 对于周向 X射线装置，使用 300keV的单能定向电子打到圆锥面钨靶上产生 X射线，X 射线从圆锥 面开始向空间散射，过滤片使用 5mm厚的Cu 绕锥面一周，电子锥面打靶模型见图 1。300kV周向 X射 线管的过滤前后 X 射线能谱见图 3。