纳米压印技术制作DFB半导体激光器.pdfVIP

第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集 纳米压印技术制作DFB半导体激光器 左 强1，王磊1，王智浩1，孙堂友1，周宁2，赵彦立1，徐志谋1，刘文12 (1．华中科技大学武汉光电国家实验室，湖北武汉4300741 2．武汉邮电科学研究院光迅科技股份有限公司，湖北武汉430074) 摘要：分布反馈(DFB)半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光源器件，光栅的设 计和制作是决定器件性能的关键因素之一．传统光栅制作方法中，双光束干涉曝光虽然具有生产 效率高、成本低的优点，但其制作的光栅大面积均匀性较差、重复性不高；电子束光刻虽然具有 精度高的优点，但其成本高产能低，不被光电子器件产业所接受．纳米压印兼具有精度高、成本 低、生产效率高的优点，且可在同一衬底上一次制作出不同光栅周期。本研究组利用纳米压印技 术，优化制作工艺，制作m覆盖完整光通信C波段的高质量光源，以及用于瓦斯 探测的1650nm光源。 关键词：纳米压印；衍射光栅；DFB激光器；C波段；瓦斯探测 引言 窄线宽、高边模抑制比、高波长稳定性的DFB半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光 源器件。除材料外延之外，DFB半导体激光器制作的另一个关键技术是分布反馈衍射光栅的制作，最终激 光器的性能在很大程度上依赖于衍射光栅的制作质量。由于DFB半导体激光器的衍射光栅图形尺寸很小 nm，若占空比为50％，则栅条宽度约120nm)，通常 (以波长为155011111激光器为例，光栅周期约为240 采用深紫外激光器双光束曝光或电子束曝光两种方法实现。但由于干涉图形的严格周期性，所制得的DFB 光栅具有完全对称且均匀分布的结构。结构的对称性导致DFB激光器在理论上会出现双纵模现象。虽然 可通过解理面的不对称及端面镀膜的不对称抑制双纵模现象，但由于这种不对称引起相位的不确定性，可 使激射模在两种模式之间跳跃，导致激光器发射波长的不确定性。除此之外，采用双光束干涉法制作出的 光栅边缘的平直性差、毛刺多，且光栅的形状、占空比大面积重复性差，影响器件的成品率。 通常为了得到稳定的单纵模输出，可在均匀光栅的中间引入相移破坏对称性【l】，则不论激光器端面相 位如何，激光器都能得到稳定的输出波长。电子束光刻不仅具有高精度的优点，且可以制作任意非均匀光 栅。但其最大的缺点是制作成本高，周期长生产效率低。 纳米压印技术是将预先制备好的带有纳米图案的模板压入旋涂在基片上抗蚀胶，通过物理接触的方法 使抗蚀胶变形，从而得到纳米图案，最后通过湿法或干法刻蚀将图形转移到基片上完成纳米图形的制作。 由于纳米压印不是通过曝光改变光刻胶的化学结构。因此其分辨率不受光的衍射、散射、光刻胶内部光干 涉、衬底反射等因素的限制，可突破传统光刻工艺的分辨率极限；其次，纳米压印技术不需要复杂的透镜、 曝光光源，并且可以大批量重复均匀地在大面积上制备纳米图形结构。因此，它兼具有精度高、成本低、 生产效率高的优点，是一种卓越的纳米图形制作技术。本研究组率先提出将纳米压印技术用于DFB半导 nnl覆盖完整 体激光器衍射光栅的制作，并从2008年起致力于此项技术的研究，先后制作出1520--1565 r蚰光源pJ。 光通信C波段的高质量光源Iz刮，以及用于瓦斯探测的1650 本文内容安排如下：首先介绍纳米压印技术及制作DFB半导体激光器衍射光栅过程中的关键工艺技 术研究；其次给出器件检测结果；最后总结全文。 l实验 1．1纳米压印技术 YChou提出的纳米压印法，通常简称为热压印【6】。 纳米压印技术主要有三种：一种是1995年Stephen 其基本工艺是将抗蚀剂(如PMMA)薄膜旋涂在基片上并加热至玻璃化转化温度以上，然后将带有纳米图 18l 第l=目全国n蚪m热§Ⅱ外Ⅸ学发展研讨会论文酿Z掎Ⅲ集 案的横板压在抗