电子陶瓷专业实验讲义(改).docVIP

电子陶瓷专业实验 湖北大学物电学院电子科学与技术系 2013-9 目 录 实验一 电介质材料的介电常数及损耗与频率的关系 1 实验二 电介质材料的介电常数及损耗与温度的关系 5 实验三 PTC热敏电阻器伏安特性测试 7 实验四 PTC陶瓷热敏电阻器的温度特性测试 10 实验五 传输法测试压电陶瓷参数 13 实验六 金相显微镜观察材料的显微结构 17 实验七 四探针方法测量半导体的电阻率 19 实验八 ZnO压敏电阻综合特性参数的测试 24 实验九 测量磁滞回线实验 28 实验十 电子陶瓷粉体的结构分析 32 实验 电介质材料的介电常数及损耗与频率的关系 一 实验目的 1．熟练掌握MODEL TH2816型宽频LCR数字电桥的使用； 2．测量几种介质材料的介电常数（）和介质损耗角正切（tan(）与频率的关系，从而了解它们的、tan( 的频率特性。 二 实验仪器 TH2816型宽频LCR数字电桥、样品 三 实验原理 介电常数，又称电容率，是电位移D与电场强度E之比 = D/E ，其单位为F/m ，真空的介电常数 F/m ，而相对介电常数为同一尺寸的电容器中充入电介质时的电容和不充入电介质时真空下的电容之比。介电常数小的电介质，其分子为非极性或弱极性结构，介电常数大的电介质，其分子为极性或强极性结构。在交变电场作用下，电介质的介电常数为复