2003年研究生入学考试试题半导体物理与器件.pdfVIP

2003年研究生入学考试试题半导体物理与器件 一． 简单回答：（20分） 1． 在原子间距为 a 的一维单原子晶格中，波矢 q=1/4(2π/a)，和 q=1/4(2π/a)+2π/a 的两种格波所描述的原子振动的情况有何 异同？ 2． 含施主浓度为 Nd=210cm,受主浓度为Na=210×cm 的硅样品,温度 为300K 和温度为 500K 时该样品的载流子浓度各是多少？ 10 −3 14 −3 已知： n (300K) =1.5×10 cm ;n (500K )=5×10 cm i i 3． 在硅晶体中，m 和 m 分别是横向有效质量和纵向有效质量。如 t l 果沿着[001]方向外加电场 E,是分别写在 [001]和[010]方向能 谷中电子的加速度。 4． 若价带顶附近有一共有运动速度为 v ，有效质量为mn，波矢为， n 能量为 E 的电子被激发到导带，从而在价带产生一个空穴，写 出该空穴的波矢，有效质量，准动量，能量。 5． 以N 型半导体为例画出杂质半导体中电子浓度随温度的变化曲线， 并写出每个区域的电中性条件。 二．（15 分）对于金属-氧化物-半导体场效应晶体管，要利用半导体 表面附近形成的强反型层作为电导通道。以N 型半导体为例，强反型 层开始出现的条件是：表面处的空穴浓度等于体内的电子浓度。 1．别画出外加电压V=0、V0 和V0 情况下的能带图。 2．证明开始出现强反型层时，表面势Vs 为：Vs=2φf。 这里，eφf 表示半导体内部本征费米能级 Ei 与费米能 级EF 之差，eVs 表示半导体体内的本征费米能级 Ei 与半导体表面的本征费米能级Ef s 之差。 三．（10 分）已知 N 型锗中存在能级 Et 在禁带中下部的复合中心。 −∆E kT 在饱和电离温度范围内，实验发现寿命τ ∝e ，试由 n +n p +p 0 1 0 1 τ τ =+τ p n 验证上述关系：并说明激活能 n0 +p0 n0 +p0 E −E E −E c i i c ∆E 的物理意义。（式中 n1 N e kT , p1 N e kT ） c v 四．（15 分）两种载流子同时起作用，半导体的霍尔系数为： 2 2 p µ −n µ R 0 p 0 n H 2 ，简单说明怎样利用霍尔系数判断一 q (p0µp +n0µn ) 种掺杂的半导体的导电类型和掺杂浓度？已知一个InSb 样品，