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第1-4章复习题 一、填空题： 1. 半导体是一种导电能力介于__________与__________之间的物质。常用的半导体材料是______和_______。 2． 利用半导体材料的某种敏感特性，如____________和___________特性，可制成热敏电阻和光敏元件。 3． 在本征半导体中，自由电子浓度____________ 空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度____________空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度__________空穴浓度。 4．半导体中的电流是__________与____________的代数和。杂质半导体中的多数载流于是由____________产生的：少数裁流于是由___________产生的。 5． 使PN结正偏的方法是：将P区接________电位，N区接________ 电位。正偏时P结处于________状态，反偏时PN结处于________状态。 6． 空间电荷区中不存在________，只有不能移动的离子，其中靠近P区的是________离子，靠近N区的是________离子。所建电场有利于________运动，阻碍________运动。 7．反向电压引起反向电流剧增时的PN结处于________状态，该状态是________二极管的工作状态，是________二极管的故障状态。 8．二极管的反向击穿分为________击穿和________击穿。击穿后如果反向电流不超过允许值，则二极管只是________击穿，不致损坏。否则因功耗太大使管子过热损坏时称为_______击穿。 9． 整流二极管的员主要特性是________，它的两个主要参数是：_______和________。 10．在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压)约为_______，导通后在较大电流下的正向压降约为______V；锗二极管的开启电压(死区电压)约为_______，导通后在较大电流下的正向压降约为_______V； 11．理想二极管正向导通时，其压降为________v，反向截止时，其中电流为________A。这两种状态相当于一个________。 12． 稳压二极管工作时，其反向电流必须在_______范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。 13． 发光二极管内部仍是一个________，当外加适当的正向电压时．N区的自由电子和P区的空穴在扩散过程中________，释放的能量以________的形式表现出来。 14． 用万用表R×100Ω或R×1kΩ档测试一个正常二极管时指针偏转角很大 时可判定黑表笔接的是二极管________极；红表笔接的是二极管________极。 15． 三极管具有电流放大作用的工艺措施是：________区掺杂浓度很高，________结的面积大，________区很薄。 16． 三极管具有电流放大作用的外部条件是________和________。 17． 三极管的电流放大作用是用较小的________电流控制较大的________电流，所以三极管是一种________控制元件。 18．双极型晶体管从结构上看可以分成________和________。它们工作时有________和________两种载流子参与导电。 19．温度升高时，三极管的电流放大系数β_______；反向饱和电流ICBO_______；射结电压VBE________ 。 20．某三极管的管的权限参数PCM＝150mw，ICM＝100mA，V(BR)CEO＝30V。若它工作时电压VCE＝10V，则工作电流Ic不得超过____15mA___A；若工作电压VCE＝lV，则工作电流 不得超过__100______mA；若工作电流IC＝1mA，则工作电压不得超过____30____V。 21． 三报管穿透电流ICEO是集一基反向饱和电流ICBO的_____倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量____。 22． 场效应管从结构上看可以分成________和________两大类型，它们的导电过程仅仅取决于________载流子的流动。从这一点看它又称为________晶体管。 23． 场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指________定时，________与________之间的关系曲线，它可划分为________、________和________三个区域。 24．场效应管用于放大时，一般都工作在________区，场效应管的放大能力比三极管________，直流输入电阻比三极管________，极间电容比三极管________。 25． 场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻________，所以输入电流近似为_______