2005 太阳电池选择性发射极结构的研究.pdfVIP

维普资讯 第 25卷第 3期 云南师范大学学报 Vo1．25No．3 2005年 5月 JournalofYunnanNormalUniversity 太阳电池选择性发射极结构的研究 屈 盛， 陈庭金， 刘祖明， 廖 华 (云南师范大学太阳能研究所 ；云南省农村能源工程重点实验室 ，云南 昆明 650092) 摘 要： 指 出了选择性发射极太 阳电池结构的特征 。在深入地分析其优点的同时论证了选择性发射 极结构是提高太阳电池光电转换效率的有效途径。 关 键 词 ：太阳电池 ；选择性发射极 ；优点分析 中图分类号： TK51 文献标识码： A 文章编号 ： 1007--9793(2005)03--0021--04 常规的BSF单晶硅太阳电池 ，一般都采用高 掺杂浅扩散制作P—n结的工艺，其各处的结深 iO2 和表面杂质浓度是几乎一致的。而在选择性发射 极太阳电池的不 同区域，掺杂浓度、表面浓度 N P 和扩散结深 X_是不同的。总的来说 ，相对于常规 BSF太阳电池，这种结构可 以提高太阳电池的开 路电压 ，短路电流 I，和填充 因子 F．F．，从而 图 1选择性发射极太阳电池结构示意图 使电池获得高的光电转换效率。本文对这种结构 Fig．1Theschematicoftheselective 的提高光生载流子的收集率、提高太阳电池的输 emittersolarcellstructure 出电压、降低太阳电池的串联电阻、减小光生少数 载流子的表面复合和减小扩散死层的影响而改善 扩散层的整体性能等机理进行分析。 P 1 选择性发射极结构的特征 选择性发射极结构有两个特征[1]：1)在 电 图2常规 BSF太 阳电池结构示意图 极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在其 Fig．2Theschematicoftheconventional 他区域(活性区)形成低掺杂浅扩散区，这样便在 BsFsolarcellsturcture 低掺杂区和高掺杂区交界处获得的一个横 向n ／ n高低结，并在电极栅线下获得一个n ／p结，而 2 选择性发射极结构的优点 在非电极区形成与常规BSF太阳电池一样的p— n结。所以与常规BSF太阳电池相比，选择性发 2．1提高光生载流子的收集率 射极太阳电池电极栅线处多一个横向n+／n高低 与常规BSF太阳电池相比，选择性发射极太 结和一个横向n+／p结。如果考虑扩散区单边突 阳电池电极栅线处多一个横向n+／n高低结和一 变掺杂，可以用图1和图2分别表示。 个横向n ／p结。在这些扩散结中，也有内建电场 + 收稿 日期：2OO4—12—28 基金项 目：国家863计划 (2001AA513040)资助项 目． 作者简介 ：屈 盛(1976一)，男，广西 自治区南宁市人 ，硕士研究生，研究方向：光伏科学与工程． 维普资讯 · 22 · 云南师范大学学报 (自然科学版) 第 2