2SC5012晶体管产品规格书.pdfVIP

2SC5012 NPN 微波低噪声晶体管 北京鼎霖电子科技 2SC5012N; 2SC5012R NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1. 简述： Top view 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低 4 3 漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性； 主要应用于超高频微波、VHF 、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块 1 2 SOT343N 和 光纤传输中的中继放大器等产品； 3 4 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V ，最大集电极电流：IC=70mA,集 电极耗散功率：PC=300mW，特征频率：fT=9GHz； 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT343N 和 2 1 SOT343R(SC82)表面贴塑封;