50年代BT科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究1968年SR.pdfVIP

第十三章 非晶态半导体 第十三章 非晶态半导体 第第十十三三章章 非非晶晶态态半半导导体体 50 年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，但直到1968 年S.R.奥弗申斯基 关于硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975 年 W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应，使控制电导和制造 PN 结成为可能，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面，P.W.安德森和N.F. 莫脱建立了非晶态半导体的电子理论。 一、非晶态半导体的分类 目前主要的非晶态半导体有两大类。 1、硫系玻璃：含硫族元素的非晶态半导体。例如As-Se、As-S，通常的制备方法是熔体冷 却或气相沉积。 1 0 5 2、四面体键非晶态半导体。如非晶Si、Ge、GaAs 等，此类材料的非晶 d a 1 0 4 态只能用薄膜淀积的办法（如蒸发、溅射、辉光放电或化学气相淀积等 ）， 吸 b 收 c 只要衬底温度足够低，淀积的薄膜就是非晶态结构。 系 3 数 1 0 四面体键非晶态半导体材料的性质，与制备的工艺方法和工艺条件 密切相关。图1 中a、b 是硅烷辉光放电分解，衬底温度分别为500K 和 1 0 2 1.0 1.4 1.8 2.2 光 子 能 量 （e V ） 300K，c 是溅射，d 为蒸发。非晶硅的导电性质和光电导性质也与制备 图1 不同方法制备非晶硅的光吸收系数 工艺密切相关。其实，硅烷辉光放电法制备的非晶硅中，含有大量H；不同工 艺条件，氢含量不同，直接影响到材料的性质。 1 0 4 溅射薄膜 与此相反，硫系玻璃的性质与制备方法关系不大。由图2 可见，用熔体冷 1 0 3 吸 却和溅射的办法制备的As SeTe 样品，它们的光吸收系数谱具有相同的曲线。 收 2 2 2 系 1 0 A s 2 S