5_场效应管.pdfVIP

5.1 金属-氧化物-半导体 （MOS ）场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管 （JFET ） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 场效应管的定义： 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小 的半导体器件。 场效应管的特点： 具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声低、抗辐射能 力强、制造工艺简单等优点。 兼有体积小、重量轻、耗电省寿命长等特点。 场效应管的工作原理： 将控制电压转换为漏极电流——互导放大器件。 场效应管的分类： N沟道 增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型 耗尽型 场效应管 P沟道 JFET N沟道 （耗尽型） 结型 P沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 对照两种形式的三极管 ： 双极型三极管 场效应管 BJT FET 电流控制的元件(i →i ) 电压控制的元件(v →i ) B C GS D 两种载流子 （电子和空 只有一种载流子 （多子电 穴）同时参与导电—— 子）参与导电——故也称 故称双极型三极管 单极型三极管 5.1 金属-氧化物-半导体 （MOS ）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 一.N沟道增强型MOSFET 1. 结构 铝电极 符号： 源极 栅极g 漏极d SiO s - 2 - 绝缘层 - N + N + P衬底 半导体 - 衬底b 【参见教材P200 图5.1.1】 2.工作原理 ① 栅源电压vGS 的控制作用 Ñ 当vGS=0V 时： s d V