7.场效应晶体管的补充I.pptVIP

半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 对短沟道器件，陡峭分布： 仅金属结之间沟道受栅压的调制；短沟道效应使沟道中央电阻率较大，结附近电阻率较低。Leff略小于Lmet 对横向的弥散分布，在金属结之外的沟道电阻也依赖于栅压，从而贡献于Leff， Leff略大于Lmet （2）栅调制的积累层电阻 源漏掺杂的横向梯度分布，使电流从反型层射入体源和漏区的现象并不立即在金属结发生。 当栅压较高时，在栅源和栅漏的交迭区也会产生表面反型层。 半导体器件原理 南京大学 在近金属结和远离表面的施主掺杂浓度较低，使积累层的电导率高于体源或漏。 电流在近表面层的积累层中流动，直至源或漏的掺杂变得足够高时，使源漏区的电导率高于积累层。 电流射进体区的位置依赖于源漏掺杂的梯度分布。 n+poly-Si/n-MOSFET 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （3）从电流射入点解释Leff 积累区的电阻率与沟道电阻率对栅电压具有相似的关系，因此电流流动的积累层被认为是Leff的一部分。 定义源漏区薄层电阻率?(Ndinj)/(xj/2)= ?ac时为电流射入点。?（N）为源漏区的体电阻率。 在SAR中 半导体器件原理 南京大学 Ndinj随尺寸缩小而增大，1?m?1017/cm3；0.1?m?1019/cm3 实验数据在Leff =Linj直线的100A以内，不依赖于掺杂梯度和沟道分布。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （4）对短沟道效应的暗示 半导体器件原理 南京大学 源漏区的掺杂分布梯度越小，N型掺杂穿透进沟道区，补偿或使沟道内P型掺杂反型。 源漏电场极易使边界附近极易耗尽与反型。当器件等比例缩小时，减小源漏区掺杂缓变的宽度显得非常重要。 半导体器件原理 南京大学 低高沟道分布 当沟道长度缩小到0.15?m以下时，很高的衬底掺杂会导致较高的阈值电压。 量子效应在此高电场下会进一步增加阈值电压。 低高结的沟道掺杂分布，可减小阈值电压，而不显著增加栅耗尽层的宽度。 ?低高结的效应：减小阈值电压，但增加耗尽层宽度。 ?亚阈值斜率和衬底灵敏度的表达式保持不变。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 3) 沟道剖面设计 半导体器件原理 南京大学 （1）CMOS设计的考虑 工艺限制与系统兼容的要求，需要对电路参数进行优化 对一给定的技术水平，并没有唯一的设计方法，而是给出器件参数选择的总体思路。 为控制短沟道效应，最大耗尽层宽度Wdm： Lmin/mWdm?2 亚阈值斜率2.3mkT/q及衬底灵敏度dVt/dVbs=m-1随m增大而变差，并导致低的饱和电流。m1.5 氧化层电场Emax决定最小的氧化层厚度tox 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （2）电源电压与阈值电压的趋势 阈值电压低限由关断电流决定： Vt ?0.4V，高限由电路延迟或性能决定：Vt?Vdd/4 如Vdd较大， 0.4V ? Vt?Vdd/4，阈值电压容易选择 当短沟道尺寸变小电源电压减小时，就需要在漏电流和器件速度之间选择。导致Vdd并不随L成比例缩小，而Vt也不随Vdd等比例减小。 高的Vdd/L使设计空间急剧变小。 当Vdd小于2V时，漏电流与器件延迟之间的平衡就非常必要。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 4) 阈值电压中的量子效应(P388) MOSFET的反型层中载流子束缚在近硅表面的势阱中。 势垒由氧化层和向下弯曲的硅的导带所形成。 特别在较高的电场下，必须采用量子力学作为2D气来求解。 量子力学的效应： （1）在高场情况下，阈值电压更大，因为能带的弯曲会更大以形成最低子带（高于原有的导带底）的占据。 （2）反型层在表面以下形成，这就需要更大的栅电压去产生给定的反型层电荷密度。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 （1）亚阈值区的三角势阱近似 反型层电荷的完整求解通过耦合的泊松方程和薛定谔方程的自洽解得到。 在亚阈值区，能带弯曲仅由耗尽层电荷决定，使上述二方程之间的耦合被解除，而获得一些有关量子力学对阈值电压的影响。 边界条件： 无限的氧化层势垒：x0 反型层电荷导致的三角势 V(x)=qEsx 子带能级 子带电子距离表面的平均距离 半导体器件原理 南京大学 亚阈值区 半导体器件原理 南京大学 （2）量子效应导致的阈值电压的偏移： 室温和较小的电场情况下，最低能级和子