A4阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量.pdfVIP

第 24 卷 　第 5 期 太　阳　能　学　报 Vol 24 , No 5 2003 年 10 月 　　　　　　　　　　　　　 ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA 　　　　　　　　　　　　　 Oct . , 2003 文章编号 : (2003) 晶体硅太阳电池丝网印刷电极 接触电阻及其测量 1 2 1 刘祖明 , 苏里曼·K ·特拉奥雷 , 林理彬 , 3 3 1 2 张忠文 , 陈庭金 , 廖　华 , 罗　毅 ( 1. 四川大学物理系, 成都 610064 ; 2. 清华大学电子工程系 , 北京 100084 ; 3. 云南师范大学太阳能研究所 , 云南省农村能源工程重点试验室 , 昆明 650092) 摘 　要 : 金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一 , 本文 研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏 , 应在保证 p/ n 结特性 良好的前提下使接触电阻最小为最佳。 关键词 : 晶体硅太阳电池; 丝网印刷电极 ; 接触电阻测量 中图分类号: T K513 　　　　文献标识码 : A 0 　引　言 表面态构成的表面势与金属的非欧姆接触所致。一 般要使用量子隧道效应形成欧姆接触。 太阳电池是低电压高电流的发电器件 , 因此减 丝网印刷电极与晶体硅之间的接触电阻测试采 少太阳电池的串连电阻是非常重要的。串连电阻由 用图 1 所示的图形 : 接触电极宽度 d , 长度 w , 金属电极的电阻、金属半导体接触电阻、发射区 测试样品扩散薄层电阻 R sq , 若接触电极图形下金 薄层电阻和基区电阻等组成。串联电阻是影响太阳 属半导体之间的接触电阻为 R , 忽略金属电极本 电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的 ( 7 Ω ) 身的电阻 银电极的电阻率为 7 ×10 ·cm 。L 1 重要因素之一。金属电极半导体接触电阻是串联电 为电极 A 与B 之间的距离, L 2 为电极 A 与 C 之 阻的重要组成部分之一。工业化生产的晶体硅太阳 间的距离, 那么 A 、B 间的电阻 R 1 , B 、C 间的 电池, 通常采用丝网印刷烧结银导体作为上电极。 电阻R 2 分别为[2 ] : 这种情况下 , 电极与晶体硅之间的接触电阻与硅半 L 1 ( )