CIGS薄膜太阳能电池之单靶溅镀制程及应用.pdfVIP

2009 年第 5 期 上海电力 提高能源利用效率 CIGS 薄膜太阳能电池之单靶溅镀制程及应用 黄文啓 ( 台湾威奈联合科技股份有限公司 ,中国　台湾) 摘 　要 :运用溶剂浴热法合成四元化合物 Cu ( In Ga) Se2 粉末 ,利用 XRD 、SEM 、XRF 及 U V - Vi s 测定其晶相 结构 、形貌 、成分比例及能隙后 ,压制成靶材 , 以单源靶溅镀方式溅镀薄膜 ,采用 in - line sp utt er 技术制造出薄 膜太阳能电池模块 ,其转换效率达 10 % 。单靶溅镀制程实现 自动化 、制程简单 ,设备维护成本低 。 关键词 :Cu ( In Ga) Se2 ;薄膜太阳能电池 ;磁控溅镀 中图分类号 : TM9 14 . 4 + 2 　　文献标识码 :A 半导体材料 ,其能隙值涵盖大部分之太阳光谱 ,具 1 　薄膜太阳能电池 有相当高的光吸收系数 ,并可根据调变本身的组 自20 世纪以来 , 地球每年平均温度不断上 成来改变其能隙大小 , 因此十分适合用来作为高 升 ,其中温室气体浓度升高更是造成地球温度上 效率太阳能电池之主吸收层材料[4 ] 。 升的主要原因之一 ,而随着石油 、煤矿 、天然气以 在转换效率方面 , CI GS 太阳能电池在标准 及各种能源价格的高涨 ,发展无污染又兼具永续 环境测试下可达 19 . 95 % (N R EL , 2006) ,超过 发展的替代性能源 , 已成为各国关注的议题 。太 单晶硅和多晶硅 14 %～16 %的转换效率[ 5 ] 。此 阳能、潮汐能、生质能、地热能、对流能、水力发电 外 ,CI GS 薄膜太阳能电池的制造技术均较单晶 等 ,都属于此范畴[ 1 ] 。 硅与多晶硅太阳能电池简易 ,且成本低 , 目前市场 [2 ] ( ) 太阳能 最具发展潜力 ,其应用范围宽广 、利 上大多以共蒸镀 coevaporatio n ,或硒化法制作 用率及可行性较高 。太阳能电池产生电力的来源 CI GS 太阳能电池[ 6 ,7 ] 。 取之不尽 、用之不竭 ,太阳光照射整个地球表面 1 近年来 ,CI GS 薄膜太阳能电池 以其制程简 h 内的能量约为 5 ×1020 J ,约可供全人类使用 1 单 、设备成本低 、转换效率高 、生产不受上游原物 a ,只要有太阳的地方 ,就可以使用太阳能板来发 料影响、材料成本低等优点 ,深受学术界以及产业 电。 界的重视 。 一般高效率的硅太阳能电池是以单晶硅掺杂 2 　实验方法与结果 Ⅲ、Ⅴ族的元素作为半导体吸收层 , 由于单晶硅近 年来需求增大 、价格抬高 ,使得整个模块的价格无 有别于传统制程 ,威奈联合科技公司的CI GS 法降低 , 以致发电成本不符合经济效益 。为了推 薄膜太阳能电池的制程分成两部分 ,分别为 CI GS 进太阳能电池的大面积应用 ,发展薄膜太阳能电 粉末合成与 CI GS 薄膜太阳能电池制造 。 [