DY-4四探针测试仪.docVIP

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DY-4四探针测试仪.doc

??DY-4四探针测试仪 ?SDY-4型四探针测试仪 产品概述 ?? SDY-4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的 半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器.仪器以大规模集成电路为核心部件, 采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.应用微计算机技术,利用HQ-710E型测量 数据处理器,使得测量读数更加直观、快速,并能实现晶片厚度自行修正,打印出全部预置 和测量、计算数据。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操 作。SDY4四探针测试仪 本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材) 电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要。 技术指标 1 测量范围: 电 阻 率: 0.001-200Ω.cm(可扩展);      ? 方块电阻: 0.01-2000Ω/口(可扩展); 2 可测晶片直径(最大):100mm(配J-2B型手动测试台)            200mm(配J-51型手动测试台) 3 恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调.误差±0.3% 4 数字电压表: ???????????? 量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV ???????????? 显示:四位半红色发光管数字显示;极性、小数点、超量程自动显示。 ???????????? 输入阻抗1000MΩ; 精度:±0.1%. 5 最大电阻测量误差(按JJG508-87进行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字. 6 四探针探头: ???????????? 间距:1±0.01mm;针间绝缘电阻≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3% ???????????? 探针压力:TZT-9A/9B: 12-16牛顿(总力) TZT-9C/9D 5-8 牛顿(总力) 7 整机不确定度:(用硅标样片测试)≤5% (0.01-180Ω.cm) 8 外形尺寸:电气主机:360mm×320mm×100mm;数据处理器:300mm×210mm×105mm 9 数据处理器功能: ?????? A 键盘控制测量取数,自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量, 显示出平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正; ?????? B 键盘控制数据处理,运算电阻率平均值和电阻率值最大百分变化及平均百分变化; ????? ?C 键盘控制打印全部测量数据.测量条件、最大电阻率值、最小电阻率值、电阻率最大百分 变化及平均百分变化。 10 仪器重量:电气主机:约4kg;测试台:约10kg,数据处理器:约2.5kg 11 测试环境:温度23±2℃;相对湿度≤65%;无高频干扰;无强光照射。 ??XJ4822/B型CRT读出半导体管特性图示仪 XJ4822/B型CRT读出半导体管特性图示仪 产品概述 ???????? XJ4822 CRT读出图示仪,外观新颖,技术先进,操作方便,能对各类二极管、三极管、 场效应管等静态参数测试。光标测量数字读出给用户带来方便,二簇曲线显示对器件各类参数配 对尤为方便。测试大功率器件时,可采用单次方式。配3KV测试台后Vc可达3KV。 ·光标测量,字符读出,使各种静态参数包装β、Gm均可光标测量字符读出。 ·双族显示用于对各种参数配对 ·最大测试功率近100W ·阶梯电压±10V+△VB±5V内阻低特别适宜大功VMOS管测试 ·最大VC达3000V(选购件) ·过流报警断电 ? 主要技术指标 集电极电流范围 (IC)10μA/div~1A/div 按1、2、5进制分16档 二极管电流范围 (IR)0.2μA/div~5μA/div 按1、2、5进制分5档 ???????????????????? IC、IR倍率 ×0.1 集电极电压范围 (VC)0.05V/div~50V/div 按1、2、5进制分10档 基 极 电压范围 (VB)0.05V/div~1V/div 按1、2、5进制分5档 二极管电压范围 (VR)100V/div~500V/div 按1、2、5进制分3档 阶 梯 电流范围 (IB)0.02μA/step~50mA/step 按1、2、5进制分16档 阶 梯 电压范围 (VB)0.05V/step~1V/step 按1、2、5进制分5档 集电极电压档级? 0~10V、0~50V、0~100V、0~500V每档连续可调 功 耗 限止电阻? 0~500k 按1、2、5进制分11档±10% CRT字 符 读 出?? 垂直Y:显示A/div (IC、IR) 水??? 平??? X:? 显示A/div (VC、V

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