NTC热敏芯片在IGBT中的功能与应用.pdfVIP

NTC 热敏邦定晶片作为温度传感元件在 IGBT 中的功能与应用 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝 缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低 导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关 速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常 适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等 领域。 IGBT 结构图 左边所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极（即 发射极 E）。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极 G）。沟道在紧靠栅 区边界形成。在 C、E 两极之间的 P 型区（包括P+和 P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的 P+区称为漏注入区（Drain injector），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚 沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态 电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C ）。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP(原来为NPN) 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使 IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基 本相同，只需控制输入极 N-沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到 N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小 N-层的电阻，使 IGBT 在高电压时，也具有 低的通态电压。[ 在 IGBT 模块变流器装置中，最关键的参数之一是 IGBT 芯片的温度。直接测量的办法是将温度传感器 安装在芯片上或者成为芯片的一部分。如此做将会减少承载芯片电流能力的有效区域。一个可行的替代方 案用来确定芯片的温度，从测量基板的温度作为一个已知点开始，使用热模型计算 IGBT 温度。在许多英 飞凌的电力电子模块中，通常集成了 NTC 热敏邦定晶片热敏电阻，也称之为 NTC 热敏邦定晶片芯片，作 为一个温度传感器以简化精确的温度测量的设计。 IGBT 一些新封装结构的模块中，内部封装有 NTC 热敏邦定晶片温度传感器(NTC 热敏邦定晶片热敏电阻 晶片)。如功率集成模块(PIM)；六单元(EconoPACK)FS 系列；三相整流桥(Econobridge)；EasyPIM； EasyPACK；Easybridge；四单元 H-桥(Econo-FourPACk)；增强型半桥(Econodual+)等模块内均封装有 NTC 热敏邦定晶片温度传感器。NTC 热敏邦定晶片是负温度系数热敏电阻，它可以有效地检测功率模块的 稳态壳温(Tc)。模块内封装的(NTC 热敏邦定晶片热敏电阻晶片参数完全相同。NTC 热敏邦定晶片是安装在 EXSENSE Electronics Technology Co., Ltd. Sales6@ 硅片的附近以实现紧密的热耦合，根据不同的模块，可将用于测量模块壳温的 NTC 热敏邦定晶片温度传感 器与芯片直接封装在同一个陶瓷基板(DCB)上，也可以将 NTC 热敏邦定晶片热敏电阻安装在一个单独的基 板上，大大简化模块壳温的测量过程，如下图所示。 图 1 NTC 热敏邦定晶片 inside theEconoDUAL™3 mounted on a separate DCB close to the IGBT 图2 NTC 热敏邦定晶片 inside a module without baseplate, mounted close to the silicon 图3 所示，NTC 热敏邦定晶片与 IGB 或二极管芯片位于同一陶瓷基板上，模块内使用隔离用硅胶填充，在 正常运