ZnSe多量子阱横向磁阻的无接触测量.pdfVIP

　第 20 卷第 10 期 半　导　体　学　报 . 20, . 10 V o l N o 　1999 年 10 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct ZnSe 多量子阱横向磁阻的无接触测量 1 2 2 王宗欣 　褚幼令 　胡古今 ( 1 复旦大学电子工程系　上海　200433) (2 复旦大学物理系　上海　200433) 郑国珍 ( 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室　上海　200083) 摘要　用微波无接触法测量了 ZnSe 外延层和两种 ZnSe 多量子阱样品的横向磁阻, 在低磁场 时, 这三种样品都表现为负磁阻, 并且也可以用 Kho sla 和 F ischer 的半经验表示式进行拟合, 实 验还发现了在两层 ZnSe 超晶格之间的 Zn+ Ga 单原子层也呈现为较大的负磁阻. : 7360 , 7360 , 7590 PACC D F 1　引言 [ 1 ] [ 2 ] ( ) 测量单量子阱 、双量子阱 在磁场中的电阻是用于研究二维电子气 2 系统的一种 D 重要方法. 在垂直于生长平面的磁场中, 二维电子气的电阻变化与电子间的相互作用、量子 阱间的隧道电导等因素有关. 单层和多层结构超晶格的磁阻测量和计算[ 3, 4 ] 是研究这些材料磁输运机理的又一种重 [ 5 ] 要方法. 近年来, 对各层之间被金属或非金属原子相间的超晶格的磁阻的研究 除了是研究 它们的磁输运机理的原因外, 还由于这里面包含着很多工业和传感器应用的可能性. [ 6 ] 无接触测量外延层材料的横向磁阻 并由此计算外延层中载流子浓度和迁移率的方法 是一种很方便和实用的方法, 由于不需要制作欧姆电极、无破坏性, 并且测试结果和常规的 V an der Pauw 法基本一致, 因此这种方法对测量单量子阱、多量子阱的磁阻也是极为有用 的. 本文用无接触法测量了生长在半绝缘 GaA s 衬底上的ZnSe 外延层和两种ZnSe 多量子 阱样品的磁阻. 这两种多量子阱样品在量子阱之间分别间隔着金属或非金属单原子层. 测量 结果表明 外延层、 多量子阱的横向磁阻仍然为负磁阻, 但在量子阱间间隔了金属 ZnSe ZnSe 　　王宗欣　男, 1940 年出生, 教授, 从事微波半导体器件和微波通信研究 褚幼令　女, 1941 年出生, 教授, 从事半导体物理研究和半导体材料测试 郑国珍　女, 1939 年出生, 研究员, 从事半导体材料和器件输运研究 收到,定稿 878