具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究.pdfVIP

物理 学 报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．23(2014) 237302 具有poly—Sil__~Ge栅的应变SiGeP型金属氧化物 半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究冰 刘翔宇十 胡辉勇 张鹤鸣 宣荣喜 宋建军 舒斌 王斌 王萌 (西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071) (2014年6月25日收到；2014年7月24日收到修改稿) 针对具有poly—Si1--xGe栅的应变SiGeP型金属氧化物半导体场效应晶体管fPMOSFET)，研究了其 垂直电势与电场分布，建立了考虑栅耗尽的poly-Si1--xGe栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型，并 利用该模型分析了poly—Si1--xGe栅及应变SiGe层中Ge组分对等效氧化层厚度的影响．研究了应变SiGe PMOSFET热载流子产生的机理及其对器件性能的影响，以及 引起应变SiGePMOSFET阈值电压漂移的 机理，并建立了该器件闽值 电压漂移模型，揭示了器件阂值 电压漂移随电应力施加时问、栅极 电压、poly— Si1一Ge栅及应变SiGe层中Ge组分的变化关系