场效应管小结.pptVIP

《半导体器件》 单元四 场效应晶体管 小结 讲授教师：马 颖 一、半导体表面和界面结构 真实表面分为外表面和内表面，其中内表面属于快态能级，外表面属于慢态能级。 利用热生长或化学汽相淀积人工生长方法在Si面上生长SiO2层，可厚达几千埃，形成硅-二氧化硅界面。 理想表面的特点：在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。 Si-SiO2界面的结构的应用： 一、半导体表面和界面结构 二氧化硅层中，存在着严重影响器件性能的因素主要有哪些？ 二、表面势 二、表面势 三、MOS结构的电容-电压特性 三、MOS结构的电容-电压特性 四、MOS结构的阈值电压 一、MOSFET的结构和分类 简述双极型晶体管的工作原理 简述场效应晶体管的工作原理 一、MOSFET的结构和分类 一、MOSFET的结构和分类 一、MOSFET的结构和分类 二、MOSFET的特征曲线 二、MOSFET的特征曲线 二、MOSFET的特征曲线 二、MOSFET的特征曲线 三、MOSFET的频率特性 跨导gm表征在漏－源电压VDS不变的情况下，漏电流IDS随着栅电压VGS变化而变化的程度，标志了MOSFET的电压放大本领。单位：西门子（S）。 线性工作区：跨导