模拟电子技术及应用 教学配套课件 曹光跃 第2章 第2节.pdfVIP

第二章 半导体三极管及放大电路基础 2.2 场效应管 2.2 场效应管 一、MOS场效应晶体管 二、结型场效晶体管 三、场效晶体管的主要参数 第二章 半导体三极管及放大电路基础 一、MOS场效应晶体管 （IGFET ） （一）N 沟道增强型MOS场效应晶体管 1. 结构与符号 S G D D N+ N+ S — 源极Source 在硅片表面生一 在绝缘层上喷金 用金属铝引出 用扩散的方法 耗尽层 P 型衬底 G — 栅极Gate B 层薄SiO 绝缘层 属铝引出栅极G 源极S 和漏极D 制作两个N 区 (掺杂浓度低) 2 G D — 漏极Drain S B 第二章 半导体三极管及放大电路基础 2. 工作原理 反型层 (沟道) （1）uGS 对iD 的控制作用 a. 当 uGS = 0 ，D 、S 间为两个背对背的PN 结； b. 当0 uGS UT (开启电压)时，G、B 间的垂直电 场吸引P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当uGS UT 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。uGS 越大沟道越厚。 第二章 半导体三极管及放大电路基础 (2) u 对i 的影响(u U ) DS D GS T D 、S 间的电位差 使沟道呈楔形， u ，靠近漏极端的 DS 沟道厚度变薄。 预夹断(U = U ) ：漏极附近反型层消失。 GD T 预夹断发生之前：uDS iD。 预夹断发生之后：uDS iD 不变。