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磁敏电阻传感器的应用与研究 摘要：磁敏电阻传感器是由磁敏电阻组成的的一种新型传感器，而磁敏电阻是一种基于磁阻效应的电阻体，它是在外磁场各个方面的作用下改变自身的阻值大小的。它具有体积小、灵敏度高、反应迅速、测量非接触，对环境要求使用低等优点，因此可以用来解决自动化和测量中的许多难题。 关键词：磁敏；传感器；锑化铟；半导体；强磁性； 一、传感器的分类 磁敏电阻传感器是以磁敏电阻作为敏感元件构成的，其核心主要是磁敏电阻。磁敏电阻是一种高性能的磁敏感元件。其主要性能表现在磁敏电阻施加电场时，其电阻值比未施加电场时发生了明显的变化。对于磁敏电阻，到目前为止，一些国家所研发的磁敏电阻种类颇多，其名称也极不统一。例如，日本的“索尼”公司就有“磁敏二极管”和“磁敏电阻”之分；西德的“西门子”公司称为“磁敏半导体”；还有的公司把它叫做“场片”和“磁可控固体电阻”，还有其它的叫法等等。但是随着其使用的领域和范围扩大，名称慢慢统一起来，趋于统一的叫法就是现在的“磁敏电阻”。[1]而用磁敏电阻构成的传感器种类也不少。目前按使用材料可将其分为两类：一类是用半导体材料构成的磁敏电阻传感器；另一类是用强磁性薄膜材料构成的磁敏电阻传感器。下面就简单介绍这两种磁敏电阻。 1、半导体型磁敏电阻 半导体磁敏电阻有是三个组成部分，分别是基片、半导体电阻条(内含短路条)和引线。首先是基片，别称衬底，一般是用0.1~0.5mm厚的云母、玻璃作成的薄片，也有使用陶瓷或经氧化处理过的硅片作基片的；其次是电阻条，它一般是用锑化锢(InSb）半导体材料制成的半导体磁敏电阻条，通常工厂在制造过程中，为了提高磁敏电阻的阻值，缩小其体积、提高灵敏度，常把它作成如图l所示的结构。最后是引线，它是用外铁磁物质的功50~100um的硅铝丝或们0~20um的金丝体内引线，而用薄紫铜片等作为外引线，经超声压焊或金丝球焊与芯片连接起来。[2] 由锑化铟磁敏电阻构成的传感器的外形呈扁平状，非常薄，这类磁敏电阻主要是利用“霍尔效应”为其作用原理的，而现在外国的一些科学家已经提出了自旋霍尔效应理论，在由绝缘铁磁体的F多层膜，如钇铁石榴石（YIG），和一个正常的金属与自旋轨道相互作用，如铂（Pt）。SMR是由自旋霍尔和逆自旋霍尔效应同时作用引起的，因此一个非平衡距离现象。【8】其半导体磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。图12给出半导体型磁敏电阻传感器的结构和特性。 1.1. 物理磁阻效应 物理磁阻效应又称为磁电阻率效应，表现为半导体片的电阻率随外磁场的变化而变化，其关系式为： 其中p0，pb分别是无磁场和有磁场时的半导体片的电阻率，H是磁场的强度，u是半导体片的电子迁移率。[3] 1.2 几何磁阻效应 对于几何磁阻效应，与磁敏电阻几何形状有关的阻值变化为： 式中RB和R0分别代表有和无磁场时磁敏电阻的阻值；L和W分别代表磁敏电阻的长度和宽度；θ是霍尔角，表示由于洛仑兹力作用使载流子运动偏离远来方向的角度大小；Gr为与L／W，θ有关的几何因子。 1.3 磁敏电阻性能 Insb磁敏电阻的性能主要有电阻值R、工作电流I、灵敏度磁阻比RB/RO(它们分别代表磁感应强度B为0.3T和无磁场时电阻值)及电阻温度系数。我国研制生产的Insb磁敏电阻其电阻值为几十~几百欧姆，灵敏度磁阻比RB/R0在1.5~3之间，工作电流为直流1一5mA，电阻温度系数在一0.8%℃左右。[4]在应用时一般都采用图3所示的电路。 1.4 微小位移检测的传感器 微小位移检测传感器其结构见图2，将磁敏电阻用胶水或者粘合剂固定于磁化棒的一端；磁化棒是用软磁性材料制成尺寸为4x4X15毫米的方型磁化棒。磁敏电阻的两端用导线引出并焊在端子4上。采取将磁敏电阻直接固定在磁化棒上的方法能够改善其传热性能，使用胶水、粘合剂等密封是为了防止传感器在工作时有机械损伤，并能与外界隔离而减少甚至是避免了外界温、湿度、光照等变化的影响。这种传感器的测量原理线路如图3所示。电阻Rg的作用是限制流过磁敏电阻Rm的电流，并使其保持5mA的电流。如果把磁性装置或磁性触点固定在运动的对象上，当其与传感器产生相对位移时，穿过传感器中磁敏电阻的磁场强度将发生变化，传感器就输出与位移量相对应的电压信号。当采用积分线路时，所得的电信号必须加以整形和放大，其测量电路如图4所示 2强磁性金属薄膜型磁敏电阻 强磁性金属薄膜磁敏电阻是不同于半导体型磁敏电阻，它是1980年才见报导的新研制出的一种传感器。其结构如图5（a）。它是用镍-钴合金薄膜制成的。当磁场方向发生变化时，通过它的载流子由于洛伦兹力的作用也使其流通的途径发生变化，进而改变了磁敏电阻的阻值。[5] 对于强磁性薄膜磁敏电阻传感器，当载流子所受的洛伦兹力越大，电流的流通途径就越长，其阻值就越大。则当磁场的方向平行