硅集成复习总结.docVIP

集成电路的发展历史 集成电路（IC）：Integrated Circuit发展史与代表 20世纪60年代兴起：硅基底材料的出现 20世纪80年代成熟：基底材料及刻蚀工艺 新世纪之后的飞跃：刻蚀工艺的完善和提高 主要特征：集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产，装配密度高，设备的稳定工作时间大大提高。 集成电路的分类 按功能：数字集成电路、模拟集成电路、微波集成电路、射频集成电路、其它； 按工艺：半导体集成电路（双极型、MOS型、BiCMOS）、薄/厚膜集成电路、混合集成电路 按有源器件：双极型、MOS型、BiCMOS、光电集成电路、CCD集成电路、传感器/换能器集成电路 按集成规模：小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）、超大规模（VLSI）、甚大规模（ULSI）、巨大规模（GLSI） IC的基本制造环节： 晶片加工—外延生长—介质膜生长—图形加工—局域掺杂—金属合金—封装、测试 器件生产基本过程： 器件（电路）设计—测试与验证—版图设计与制造—芯片制造—测试、封装、测试 如何得到高质量的集成电路用硅片 硅片作用：集成电路和各种半导体器件制造中所使用的材料，目前主要是硅、锗和砷化镓等单晶体，其中又以硅为最多，硅器件占世界上出售的所有半导体器件的90%以上，硅材料多用来作为衬底材料。 制备流程： 晶体生长：晶体生长大致有形核—长大—完成三过程。 80%~90%的硅单晶用提拉法生长：高纯多晶硅（99.999%）放在坩埚内，温度略高于硅的熔点，放入一个硅籽晶，充分熔解后再缓慢提升，坩埚旋转、籽晶旋转。 Cz-S直拉法原理：在适当的温度梯度、气压下，熔融的硅在高度完美的籽晶（Seed）的旋转牵引下可控地生长。 工艺控制：缩颈（零位错生长）；温度场的分布（缺陷、杂质、二次热缺陷）；旋转速率（温度场的均匀、杂质均匀）；提升速率（直径、缺陷、应力）；弯月面的控制（生长测控的特征面）；气场的控制（缺陷、杂质） 晶片的加工： 1、去头、去尾、测试和分段 (外观、纵向均匀性）2、滚磨3、定向、磨参考面4、切片 5、倒角6、腐蚀与抛光7、识别标记，清洗，吸除0.1(m) 表述方法的新规定：Class X （at Y (m） 如：Class 100 （at 0.5 (m），即为：每立方英尺中大于0.5 (m 的微粒数不多于100个。 U（X）为每立方米中大于0.02(m的超细微粒不多于X个 ①人污染的控制 1超净服：高技术聚脂织物，能： 1）对身体产生的颗粒和浮质进行总体控制 2）超净服系统颗粒零释放 3）零静电积累 4）无化学和生物残余物的释放 2严格的净化间操作规范 ②超净厂房的设计与实施要求 集成电路工艺中使用的“纯净水” 清洗目的：去除残存在表面的尘埃颗粒（抛光）、有机物质、无机非金属玷污（S、各种酸根等）、重金属离子玷污、钠钾离子玷污、天然氧化层等。 清洗方法：机械、化学；湿法、干法 去离子水（Deionized Water）：完全或不完全地去除离子物质，主要指采用离子交换树脂处理方法。DI Water0.005(m的颗粒)和脱气处理(氧含量10ppb) 掺杂方法（扩散） 扩散掺杂技术、离子注入技术等。 扩散掺杂技术：集成电路制造中的固态扩散工艺，简称扩散，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。 杂质扩散机制：①间隙式扩散：间隙原子从一个间隙位跳到邻近的间隙位，造成原子的移动。②替位式扩散：杂质原子在晶格中移动方式是由一个晶格跳到下一个晶格。③其它扩散机制：a）直接交换b）Kick-out机制 影响扩散运动的因素：浓度差、温度高低、粒子大小、晶体结构、缺陷浓度、粒子运动方式 扩散方式：①恒定表面源扩散——硅片表面的杂质浓度始终不变 ；②有限表面源扩散——扩散前在硅片表面先淀积一层杂质作为整个过程的唯一扩散源 扩散工艺（按原始杂质源在室温下的相态分类）：固态源、气态源、液态源扩散 PN结制造中的扩散工艺（常规工艺）：先在恒定表面源的情况下扩散一短时间t1，使其在近表面处有一杂质总量为Q1的高浓度薄层，这一过程通常在氮气氛中进行，并被称为“预沉积扩散” (predisposition)；再在除去外部杂质源的情况下，在温度稍高的条件下使总量为Q1的杂质继续向内扩散，进行杂质的“再分布”(drive-in)，这一过程通常在氧气氛中进行。 快速热处理 热退火目的：注入离子所造成的硅片中的损伤就可能部分或绝大部分得到消除，少数载流子的寿命以及迁移率也会不同超度得到恢复，掺入的杂质也将得到一定比例的电激活。 注入离子的电激活、氧化层缺陷和界面态的消除、消除缺陷和应力、金属化（金属硅化反应）、