用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究X.pdfVIP

　第 14 卷 　第 6 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 14 ,No. 6 2002 年 11 月 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS Nov. ,2002 文章编号 : 2002 0座机电话号码 用红外激光脉冲触发半绝缘 GaAs 光电导 开关的实验研究 1 1 1 1 2 张显斌 , 　施 　卫 , 　李 　琦 , 　陈二柱 , 　赵 　卫 1. 西安理工大学 应用物理系 , 陕西 西安 710048 ; 　2 . 中国科学院 瞬态光学技术国家重点实验室, 陕西 西安 710068 摘 　要 : 　报道了用光子能量低于 GaAs 禁带宽度的红外激光脉冲 ,触发电极间隙为 3mm 和 8mm 的半绝缘 GaAs 光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为 1. 9mJ 的 1 064nm Nd : YAG激光触发开关 , 在偏置电压分别 为 3kV 和 5kV 条件下 ,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用 900nm 半导体激光器和 1 530nm 掺铒光纤 激光器分别进行触发实验 ,得到了重复频率分别为 5kHz 和 20MHz 的电脉冲波形。结果表明 ,半绝缘 GaAs 光电 导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。 关键词 : 　光电导开关 ; 　半绝缘 GaAs ; 　EL2 能级 ; 　非本征吸收 中图分类号 : 　TN29 文献标识码 : 　A 利用超快脉冲激光器与光电导体相结合形成的高功率超快高压光电导开关 photoconductive semiconductor switch 简称 PCSS , 在超高速电子学 , 超宽带雷达 , 超宽带通信和瞬态电磁波技术等领域有广泛的应用前 景[1～5 ] 。迄今为止 , 已有许多用532nm ,780nm ,876nm 激光脉冲触发半绝缘 GaAs 光电导开关的实验报道[6 ] 。一 般认为 ,半绝缘 GaAs 光电导开关在这些波长的光脉冲触发下 , 电子直接由价带跃迁入导带成为光注入载流子, 使材料电阻率下降 ,开关导通。为了提高 PCSS 的性能 ,希望尽可能用较长波长的激光触发光导开关。众所周 知 ,GaAs 的禁带宽度为 1. 42eV ,对应的本征吸收波长为 876nm ,当用波长大于 876nm 的光脉冲触发开关时 ,不 应存在本征吸收产生的光生载流子。事实上近年来的研究表明 ,GaAs 材料对大于其长波限的激光有明显的吸 收 ,并表现出光电导现象[6～8 ] 。 本文用 900nm ,1 064nm 和 1 530nm 激光脉冲分别进行了系列的触发开关实验。结果表明 :在这三种波长激 光触发下 ,光电导现象是明显的 ;在一定的光能、电场阈值条件下 ,用 1 064nm 光脉冲不仅可以将开关触发到线 性工作模式 ,而且还观察到了非线性工作模式 ;用重复频率为 20MHz 的 1 550nm 光脉冲触发开关得到了响应很 好的电磁脉冲序列 ;开关输出的电脉冲与用 532nm ,780nm 和 876nm 激光脉冲触发的实验结果没有明显区别 ;结 合实验结果 ,本文对所观察到的现象的吸收机理进行了分析讨论。 1 　实 　验 实验中使用 SIGaAs 作为光电导开关芯片材料 ,用 电子束辐照和高压倍加器进行质子束辐照引入深能级缺 陷。深能级缺陷的浓度及稳定度取决于材料、辐射类型、 背景搀杂及温度。引入适当浓度的缺陷可以从下面几个 方面提高开关性能 : 1 有效地减少了载流子寿命 ,提高 开关速度 ; 2 使得光生电流很快衰减 , 降低电脉冲波形 拖尾时间 ; 3 适当的缺陷有利于在 GaAs 和金属电极之 间实现欧姆接触; 4 借助于深能级可以使得 GaAs 通过 非本征吸收效应 ,产生对长波限 大于 876nm 激光脉冲 Fig. 1 　Experimental setup of triggering 的吸收。 PCSS by infrared laser pulse 实验中的光电导开关电极间隙有3mm和8mm两 图 1 　红外激光脉冲触发 PCSS 测试装置 收稿日期 :座机电话号码 ; 　　修订日期 :座机电话号码 基金项目 : 国家自然科学基金资助课题 座机电话号码 ; 陕西省教育厅产业化培育项目资助课题 01J K25 作者简介 :张显斌 1969 , 男 , 西安理工大学讲师 , 硕士研究生 , 研究方向为半导体光电器件及应用 ; 施　卫 1957 , 男 , 博士 , 教授 , 博士研究生指导教师 , 研究方向为高功率超快半导体光电器件及应用。 ? 1995-2005 Tsingh