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用规整膜板对砷化镓的三维微结构图形加工刻蚀.pdf
6 3 电化学 Vol. 6 No. 3 2000 8 ELECTROCHEMISTRY Aug. 2000 : 1006_3471 2000 03_02 3_0 1 1 2 1 1 3 3 黄海苟 , 孙建军, 叶雄英 , 蒋利民, 罗瑾, 卢泽生 , 董 申 1 2 * 1* 田中群 , 周兆英 , 田昭武 1 , , , 36100 ; 2 , 100084; 3 , 1 0001 : , GaAs . H AsO , . 3 3 . , . : , GaAs, , : O 646 : A / . , SECM [ 1, 2] , , , , / . , SECM . , . , CELT [ 3, 4] , : , , , . , , . [ ]
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, 1~ 2 2 . , , , , , Pt . 3 : ? 2 ? a b 1 a 1 0 b a , 1000 Fig. 1 The rough image a and the microstructure pattern in the center of Fig. 1a b of the mold in the etching experiment w ith magnification of ca. 1 0 and 1000 respectively
2. 2 SEM 1 , , ? % 1a 1b . ? %6 m. . SECM . , , . SECM , . 3 SECM , t 10 min. , H AsO . , GaAs ? % - 2 - 2 3 3 2 1. 0 10 A?cm , . SEM Fig . 2 SEM image of the mold after being used . w hen the current densit y is far bigger
. SECM t han 1.0 10- 2 A?cm- 2 ? 2 6 ? 电 化 学 2000 , , . , . , ? %[ 6] , . , , , , , GaAs , ? %. 4 CELT GaAs . , t 10 min, , GaAs , , CELT . . H3AsO3 , Br2 , Br2+ H3AsO3+ H2O - +
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. ? % ? %, GaAs . 3 GaAs 4 CELT GaAs : 10 mmol?dm- 3 HBr + . : 10 mmol?dm- 3 0 mmol?dm- 3 HCl. : E 1. 0 V HBr + 0 mmol?dm- 3 HCl + 0mmol?dm- 3 vs. Ag/ AgCl, t 10 min H AsO . : E 1. 0 V vs. Ag/ AgCl , 3 3 Fig . 3 The crossed patterns etched on GaAs sub t 10 min strat e w ithout adding scavenger in th
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