第六章 微执行器_修改稿1.docVIP

第六章 微 操 作 器 在微机电系统中，微操作器(或称微执行器,actuator)作为可动部分，其动作范围的大小、动作效率的高低、动作的可靠性等指标决定了系统的成败，它是微机电系统中最重要的环节，长期受到了各国学者的重视。根据能源供给方式的不同，一般可将微操作器分为静电型、电磁型、压电型、热膨胀型、磁致伸缩型、气动型等，国外研究机关试做的一些微操作器如表6-1所示。本章首先将就一些典型的微操作器，对其工作原理、动作特点、制造工艺等做一描述。 6.1 静电型微操作器 静电型微操作器是利用微电极间的静电力工作的。通常静电的能量密度与电磁能量密度相比较低，因此常规的动力源如电机多为电磁型的，但对微机械而言状况却发生了根本的变化。绝缘体的电场破坏强度随着绝缘厚度的变薄而上升(这是由于绝缘很薄时雪崩击穿的概率减小)，例如，SiO2薄膜的绝缘破坏强度约为2MV/cm，该值换算成能量密度约为7×105J/m3，这相当于1.3T的磁场能量密度。另外，该值若换算成静电吸引力约0.65MPa，这是相当大的。电磁驱动的场合，除了为生成磁场制作线圈占用一定的空间外，还要考虑磁路的空间，因此它要占用较大的空间，与此相对照，静电驱动的场合只需考虑平面电极的大小和电场空间，显然静电驱动是很适应于微机械的。除此之外，静电驱动的第一个特点是静电力与尺寸的平方成比例，这意味着静电驱动时微机械尺寸愈小其单位体积产生的力愈大。这里薄膜电极图案的制作或制膜由微制造工艺比较容易实现，人们通常用硅制作电极，它与金属相比较既坚韧又轻。第二个特点是采用电压驱动不仅控制容易、易于高速化，而且可以实现低功耗使集成化变的容易。第三个特点是微小间隙所产生的高电场可使静电驱动力增加，采用微制造工艺可获得优质绝缘膜，也可制出微小间隙。 对于一个微机电系统而言，首先所面临的是如何实现驱动力大、可靠性高的微操作器。美国学者估算了静电型微操作器所能产生的驱动力的大小，马萨诸塞州工业大学(MIT)的Lang等对直径300μm的微电机所计算的结果是:当施加电压为200V时，无负载情况下电机的最大转速是230万r/min，最大加速度是3.3×109rad/s2，可输出27mW功率。另外，贝尔研究所的Trimmer等计算得直径5mm的电机的输出功率为0.23W，而长50mm宽5mm的线性电机可获得2N的力。这里需要注意的是，微操作器实际使用时即使是相同功率也往往要求其呈低转速大力矩，而使用减速齿轮由于摩擦等原因会遇到许多麻烦，因此研制输出力大的微操作器是当务之急。 根据气体放电的帕歇尔法则，空气中不发生放电的最低电压(对任何间隙宽度)约330V。若向1μm间隙的平行平板施加300V的电压时其间隙缩小一半，且假定极板的大小为100μm×100μm，则所产生的力f由式（6-1）给出 (6-1) 式中：ε0为真空的介电常数；V为电压；d为间隙宽度；S为基板面积。将上述数值代入，得f约为4mN。当要求较大动作力的场合，可考虑将多个微操作器组合起来使用。  表6-1 国外试做的各种微操作器 分 类 报道者所属 大小 响应速度 产生力 位移量 材质 驱动电压 备注 静电电机 UCB 直径120μm 500 r/min 数10-12Nm 旋 转 多晶硅 60~400V 摩擦0.21~0.38 静电电机 MIT 直径100μm 15000r/min 10-11Nm 旋转 多晶硅 50~300V 静电线性电机 东京大学 10mm对角50μm厚 约3kHz 0.04N 15μm 单晶硅 0~300V 垂直于基板驱动 静电振子 UCB 0.1mm对角50μm厚 10~100Hz (共振频率) 0.02 mN 10μm 多晶硅 40VDC +10VAC 与基板相平行共振 双压电 悬臂梁 斯坦福大学 8μm×0.2μm ×1mm 不详 23μN 7μm ZnO 30V 驱动STM探针 形状记忆合金 贝尔研究所 2μm对角 30μm厚 20Hz － 数微米 TiNi 20mA 40V 热膨胀 斯坦福大学 3mm对角 响应时间 约5ms 0.60N 45μm 单晶硅 ＋液体 200mW 微阀门用 热/空气压 多伦多大学 8mm对角 0.5mm厚 1Hz以下 10N 23μm 单晶硅 13V 微泵用 双金