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第二章 双极型晶体管及其放大电路 王莹 Wangying@bupt.edu.cn 北京邮电大学 2.1 双极型晶体管 由两个背靠背的PN结构成，两种载流子参与导电——双极 型结型晶体管（Bipolar Junction Transistor BJT ） 材料分：硅、锗 结构分：PNP 、NPN 频率分：高频、低频 功率分：大、中、小 功能分：普通、开关等 C C C C B P B N B B P N N P E E E E PNP型三极管 NPN型三极管 BJT的结构简介 两种类型:NPN型和PNP型。 • 发射极，用E或e表示（Emitter ）； • 集电极，用C或c表示（Collector ）。 • 基极，用B或b表示（Base ） 发射区 基区 集电区 发射结(Je) 集电结(Jc) 三极管符号 两种类型的三极管 结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且 掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 2.1.1 晶体管的工作原理 四种工作状态 1，放大：J 正偏，J 反偏 用于放大电路 E C 2 ，饱和：J 正偏，J 正偏 E C 3 ，截止：J 反偏，J 反偏 } 用于脉冲与数字电路 E C 4 ，反向：J 反偏，J 正偏 很少使用 E C 发射结正 偏，发射 区电子不 进入P 区的电子 少部分与基区的 C 断向基区