第十一章 原子发射光谱法(Atomic Emission Spectrometry,简称AES).pptVIP

AES：习题 AES的分析原理是什么？ AES可以提供哪些信息？ 下面我们再分析一下其 图(12)是化合价相同但电负性差不同的含硅化合物的Si LVV和Si KLL俄歇谱[5,10]。从图(11)可知, Si3N4的Si LVV俄歇动能为80.1 eV, 俄歇化学位移为-8.7 eV。而SiO2的Si LVV的俄歇动能为72.5 eV, 俄歇化学位移为-16.3 eV。Si KLL俄歇谱图同样显示出这两种化合物中Si俄歇化学位移的差别。Si3N4的俄歇动能为1610.0 eV, 俄歇化学位移为-5.6 eV。SiO2的俄歇动能为1605.0 eV, 俄歇化学位移- 10.5 eV。 * 第十一章 俄歇电子能谱 Auger Electron Spectroscopy AES 俄歇电子能谱 1925年Pierre Auger就在Wilson云室中发现了俄歇电子，并进行了理论解释； 1953年J.J.Lander首次使用了电子束激发的俄歇电子能谱(Auger Electron Spectroscopy, AES)并探讨了俄歇效应应用于表面分析的可能性; 1967年在Harris采用了微分锁相技术，使俄歇电子能谱获得了很高的信背比后，才开始出现了商业化的俄歇电子能谱仪; 1969年Palmberg等人引入了筒镜能量分析器（Cylindrical Mirror Analyser,CMA），使得俄歇电子能谱的信背比获得了很大的改善; 最近10年，俄歇电子能谱适应纳米材料的特点，6nm空间分辨率。 AES的特点 表面灵敏度高： 0-3nm 元素分析范围广：Z≥3 （可以同时分析除氢氦以外的所有元素） 半定量分析表面成份 化学价态分析 微区分析 界面分析 AES原理 俄歇电子的产生： 外来的激发源与原子发生相互作用，把内层轨道（W轨道）上的一个电子激发出去，形成一个空穴。 外层（X轨道）的一个电子填充到内层空穴上，产生一个能量释放， 促使次外层（Y轨道）的电子激发发射出来而变成自由的俄歇电子。 图1 俄歇电子的跃迁过程 图2 俄歇电子的跃迁过程的能级图 俄歇跃迁所产生的俄歇电子可以用它跃迁过程中涉及的三个原子轨道能级的符号来标记； 如图1和2所示的俄歇跃迁所产生的俄歇电子可被标记为WXY跃迁。 其中激发空穴所在的轨道能级标记在首位，中间为填充电子的轨道能级，最后是激发俄歇电子的轨道能级。 俄歇跃迁过程标记 如 C KLL跃迁，表明在碳原子的K轨道能级 (1s)上激发产生一个空穴，然后外层的L轨道能级（2s）的电子填充K轨道能级上的空穴，同时外层L轨道能级（2p）上的另一电子激发发射。 俄歇电子能谱仪 包括以下主要部分：分析室、样品台、电子枪、溅射离子枪、电子能量分析器、电子倍增器、信号处理与记录系统等。 旋转样品台使样品到位，首先用离子枪对样品表面进行清洗，清除杂质，然后用电子枪轰击，轰击产生的多种电子经过能量分析器的选择后，只有俄歇电子才能被电子倍增器接受，经过电脑计算，最终反应到显示屏中的电子能谱图上。 利用俄歇电子能谱法进行分析研究的仪器。 俄歇电子能谱仪 AES原理 俄歇动能 从俄歇电子跃迁过程可知，俄歇电子的动能只与元素激发过程中涉及的原子轨道的能量有关，而与激发源的种类和能量无关。 俄歇电子的能量可以从跃迁过程涉及的原子轨道能级的结合能来计算。 对于WXY俄歇跃迁过程所产生的俄歇电子的能量可以用下面的方程表示： EWXY (Z)= EW(Z) - EX(Z) - EY(Z+?) EWXY (Z)= EW(Z) - 1/2[EX(Z+1)+ EX(Z)] -1/2[EY(Z+1) + EY(Z)] EWXY (Z)= EW(Z) - 1/2[EX(Z+1)+ EX(Z)] -1/2[EY(Z+1) + EY(Z)] - ?s 式中：?s ——电子能谱仪的功函, eV。 AES原理 俄歇电子强度 俄歇电子的强度是俄歇电子能谱进行元素定量分析的基础。 俄歇电子的强度除与元素的存在量有关外，还与原子的电离截面，俄歇产率以及逃逸深度等因素有关。 但由于俄歇电子在固体中激发过程的复杂性，到目前为止还难以用俄歇电子能谱来进行绝对的定量分析。 AES原理 在俄歇电子的激发过程中，一般采用较高能量的电子束作为激发源。在常规分析时，电子束的加速电压一般采用3keV。这样几乎所有元素都可以激发出特征俄歇电子。但在实际分析中，为了减少电子束对样品的损伤或降低样品的荷电效应，也可以采取更低的激发能。 对于有些元素，由于特征俄歇电子的能量较高，一般可采用较高的激发源能量如5keV。在进行高空间分辨率的微区分析时，为了保证具有足够的空间分辨率，也常用10keV以上的激发能量。 此外，还必须注意元素的灵敏度因子是随激发源