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铟量子点实现单电子晶体管方法.pdf
!2 年% 月 西安电子科技大学学报（自然科学版） 1S8, !2
第’’ 卷- 第! 期 - !#$%’- (- )*+*%- #%*,-$.*/0 - [B, ’’- 0, !
铟量子点实现单电子晶体管方法
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郭荣辉 ，赵正平 ，郝- 跃 ，刘玉贵 ，
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武一斌 ，吕- 苗
（. 西安电子科技大学 微电子研究所，陕西 西安- + + ；
!. 河北半导体研究所，河北 石家庄- ##）
摘要：研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管，它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延
设备的高度可控生长方法得到的, 实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点, 该结构由量子点充当单电子
晶体管的库仑岛，构成了多岛结构的单电子晶体管,
关键词：单电子晶体管；库仑阻塞；量子点
/0’’- - 文献标识码：1- - 文章编号：$!% （!2 ）!$32$%
中图分类号：
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单电子晶体管（KV/ ）是一种极有希望成为未来[WK; 的量子效应器件，它利用导体或半导体的小尺寸效
［ \ # ］
应（大的库仑充电能），依靠量子隧穿和库仑阻塞效应之间的竞争实现单个电荷的控制转移
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