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超声电化学沉积ZnO薄膜及其机理研究.pdf
1638 2008 10 ( 39)
*
ZnO
郭 艳, 沈鸿烈, 尹玉刚, 李斌斌, 高 超
( , 2 10016)
: 采用超声电化学沉积生长了c 轴取向的
2
ZnO 薄膜, 并与 规电化学沉积生长的ZnO 薄膜进行
了比较采用 X 射线衍射( XRD) 扫描电子显微镜 , 2cm 2cm
( SEM) 紫外可见分光光度计研究了样品的晶体结 , 1. 5cm 2. 0cm FT O ( 15/
构表面形貌以及光学性能结果表明, 规电化学沉 ) , ZnO ,
积生长的ZnO 薄膜为纳米柱状结构, 随着沉积电压的 FT O 10min,
增加, c 轴取向率呈极值变化, 热退火可提高这种薄膜 0. 001mol/ L 0. 02mol/ L
的透射率超声电化学沉积生长的ZnO 薄膜, 在1. 5V , pH 6. 2
低沉积电压下仍为柱状结构, 但比未加超声电化学法 ,
沉积的样品具有更好的c 轴取向, 沉积电压增加到2. 0 80 ! , 30min, 1. 5~ 2. 5V
V 时样品则变为麦粒状结构, 热退火后其透射率几乎 , ,
不变 500 ! 120min
: ZnO ; ; c ; D8 Advanc X ( XRD)
; L o1550V P ( SEM)
: T Q 132. 4 1; O657. 32 : A U V2550
: 2008)
1 3
ZnO , 3. 1 ZnO
60m V, 3. 37 V, 1 30min, 1. 5
, 2. 02. 5V , XRD ,
, SnO2 1
[ 1, 2]
ZnO , , ZnO
( CVD) [ 3] ( PLD) [ 4] , Zn( OH) 2 ,
[ 5] [ 6] [ 7] [ 8, 9]
ZnO ( 1. 5
ZnO V) ( 2. 5V) , , ( 002)
, 2. 0V, ZnO c
, ( 002)
, ,
, ,
,
[ 10]
,
,
ZnO,
ZnO , 图1 不同电压下沉积的ZnO 薄膜的XRD 衍射谱
, Fig 1 XRD patt rns of ZnO films d posit d at diff
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