中国半导体硅材料(多晶、单晶)材料发展60年.pdfVIP

创新 ·行业研究 ／中国半导体娃榭料 多晶、荦晶 橱斟发展60年 中国半导体硅材料 多晶 单晶 材料发展60年 - 口文 ／朱黎辉 能源、信息、材料是人类社会的三大支柱。半导体硅 多晶、单晶 材料则是电子信息产业 尤 其是集成电路产业 和新能源、绿色能源硅光伏产业的主体功能材料 ，硅材料的使用量至今仍然 占全 球半导体材料的95％以上 ，是第一大电子功能材料 ，且早已是一种战略性的物资和产业。半个世纪以 来 ，美、日、德等国的十大公司一直垄断着半导体材料的技术、市场和销售 ，对我国进行封锁 ，严重 地制约着我国的现代化进程。 硅 占地壳的四分之一 ，是地球上丰度最高的元素之一。我国已发现了高品位的硅 水晶、SiO2 矿140亿吨以上 ，一万年也用不完。 国际半导体硅材料的研发几乎与新中国的诞生同步。上世纪五十年代初开始了高纯度多晶硅生 产技术的研发 ，以后逐步成熟的是 “改良西门子法 三氯氢硅氢还原法 ，约 占全球多晶硅总产量的 80％ ”与 新硅烷法 硅烷热分解法 ，约 占全球多晶硅总产量的20％ ”。为了降低成本 ，适应硅 太阳能电池的需要 ，国内、外正在探索其它高纯度生产的低成本工艺。 1916年 ，波兰人切克劳尔斯基发明了拉制金属单晶的直拉CZ法工艺。1951年 ，美国人蒂尔和利 特把CZ法移植到硅单晶生长工艺上来 ，拉出了q 100mm的单晶。1952年 ，美国人普凡采用高频感 应加热发明了硅单晶生长的无坩埚悬浮区域熔炼FZ法。此后CZ法和FZ法的工艺与设备的不断发展使 之成为现代硅单晶生产的主要技术。硅单晶加工的后道硅片的切、磨、抛、清洗等工艺在不断向大尺 寸、高精度迈进 ：微米技术、亚微米技术、深亚微米技术、甚至纳米级加工技术的进步 ：硅外延片、 SOI片、SGOI片、MEMS、NEMS等材料与工艺不断涌现满足了微电子技术、微纳电子技术及半导体 纳米电子技术等发展的要求。 中国半导体硅 多晶、单晶 材料发展历程大致经历了起步探索与快速发展两个阶段。 lNN0VATION ·3O ／31 一 、 起步探索阶段 1950--1984 的推动下 ，尤其是在近5～6年 间我 国硅光伏产业加 速大发展 的拉动下 同期 ，国际国内太 阳能级多晶 这一阶段标志性的事件有 ： 硅价格从20美元 ／公斤不断暴涨至4O0美元／公斤 以 1、上世纪五十年代初 ，黄 昆、谢希德 、王守 上 ，且供应极度紧张，严重制约 了我 国的现代化建 武、林兰英、沈华生、宛吉春等一批海外半导体学者 设 ，我国政府各部委相继 出台了一系列推动硅材 相继回国。 料技术发展 的产业政策 ： 2、1956年 ，由北京大学、清华大学、南京大 2000年国务院办公厅发布的关于 “集成电路和软 学 、复旦大学和兰州大学抽调物理系应届毕业生 ，五 件产业若干政策”的18号文中关于硅单晶生产可以享 校联办，由一些回国的半导体学教师在北大半导体物 受的增值税从17％降至6％ 以后又 降至3％ 的政策 理师资班。这批学员于1958年学成专业回到原大学组 在当时我国硅材料行业极度困难转而高速发展的过程 建半导体专业。1962年8月我国开始有学半导体物理 中所起的巨大作用 ，真实雪中送炭。 专业的学生毕业。 国家发改委、科技部、商务部联合编制的 《当 3、此后 ，中科 院内各相关研究所相继开展 了一 前优先发展 的高技术产业化重点领域指南 2004年 系列有关半导体硅材料的研究工作。国内各高等院校 度 》第一部分 “信息”第18条 “电子材料”中，明 亦同时或先后开设了半导体物理、半导体器件、半导 确提 出多晶硅为近期产业重点。 体材料、电子信息材料等专业学科及微 电子研究所或 国民经济和社会发展第十个五年计划… 科技教 研究院等研究机构。 育发展重点专项规划 高技术产业发展规划 第三章 4、同年代 ，与 日本几乎同步 ，有关研究所与企 “主要任务与重大工程、重点专项 ”第 二 节 “重 业逐步开始了二氧化硅 的碳还原、硫铝还原、四氯化 大工程和重点专项”中的二十个重点专项 “微电子、 硅、锌还原、四氯化硅氢还原和三氯氢硅氢还原等工 光电子材料 ”部分 ，也 明确提 出要自主发展与引进相 艺制取高纯度多晶硅 的技术开发。到1970年前后 ， 结合 ，迅速扩大产业规模 ，重点发展多晶硅等材料 。 我国有多晶硅企业近三十家 ，但其产能都在年产几十 2005年2月28日我 国第十届全 国人大常委会第 吨水平 ，设备技术都相对落后 ，其还原工序的尾气都 十四次会议通过并颁布了 《中华人民共和国可再生能 未能处理，污染环境 ；能耗、物耗都很高，以后逐步 源法》，并与2006年元月1日正式生效。 关、停、并、转，