半导体探测器-中科大讲义.pdfVIP

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2017-08-18 发布于湖北
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半导体探测器-中科大讲义.pdf

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4-1 4-2 4-3 4-4 Semiconductor Detector 1 1 3eV 3eV 390eV/ 390eV/ µm µm 2 2 8 2 8 2 3ns10 /cm ·s 3ns10 /cm ·s 4 4 51.4 µm 51.4 µm 2 Silicon Detector Some characteristics of Silicon crystals • Small band gap Eg = 1.12 eV ε0(e-h pair) = 3.6 eV • High specific density 2.33 g/cm3 dE/dx (M.I.P.) 3.9 MeV/cm 106 e-h/µm (average) • High carrier mobility µ 2 e =1450cm / V.s, µ 2 = 450 cm / V.s h fast charge collection (10 ns) • Very pure 1ppm impurities • Rigidity of silicon allows thin self supporting structures • Detector production by microelectronic techniques 3 4-1 1. 1. 2. 2. 4 Eg Eg −5 ρ 10 Ωicm Eg=0.1-2.2eV −2 9 Eg=0.1-2.2eV 10 ρ 10 Ωicm Eg=2-10eV