基于光纤干涉应用电致伸缩材料的.docVIP

广东省物理实验设计大赛 参赛作品设计方案 作品名称：基于光纤干涉应用电致伸缩材料的弱电场测量仪 参赛学生：郑涛 谢伟群 黄娟丽 杨武韬 指导老师： 彭力 曾育锋  基于光纤干涉应用电致伸缩材料的 弱电场测量仪 【摘 要】 作品结合了迈克尔逊干涉原理、电介质极化及电致伸缩效应，利用大学实验室均具有的迈克尔逊干涉仪进行改装，将光纤相位调节机制与电致伸缩材料的结合，弱电场激励下，材料产生应变导致光纤长度变化，使之改变两个同相光源中一个光源的光程，进而改变光程差，导致干涉条纹发生变化从而获得弱电场物理量。作品创造性地应用光的波长作为电致伸缩效应伸缩尺寸的标尺，实现高精度、高灵敏度测量。信号处理用比较器与FPGA计数，确保精度和灵敏度。 【关键词】电致伸缩材料 光纤干涉 比较器 FPGA计数 一、引言 传统的电场测量常常应用电场的感应原理，利用电场的特性，对电场的感应电荷，感应电压等直接进行测量，但这种传统的方法在测量微弱电场的时候，由于系统误差的限制，不能精确地进行测量，在灵敏度方面很难再完善，需要引进比较高新的技术。所以我们采用电致伸缩材料以及光纤干涉原理，设计了一个相对适合测量微弱电场的实验原理，该设计原理具有灵敏度高，输出结果直观等特点。 二、原理 （一） 电致伸缩材料关于电场的电致伸缩效应 电介质材料在电场下的应变与施加的电场的基本关系为 （1.1.1） 式中 S 为电介质材料的应变，d 是表征压电系数的因子，M (m 2 / V2)是表征电致伸缩系数的因子，实际上它是由电致伸缩系数与介电常数平方的乘积得到的（M=Qε2），其中的电致伸缩系数可能随着外界的环境而变化，如：温度等，E ( V/ m )为电场强度。 电致伸缩陶瓷，是具有由电场引起的伸缩形变效应的陶瓷。在外电场的作用下，陶瓷材料中的原子或离子偏离其平衡位置产生电场诱导极化而导致与电场强度成比例的变形或机械应力，在工业上主要用作微位移驱动器。选择合适材料，可减小或忽略压电系数的影响，如铁电陶瓷、PMN陶瓷、PMN-PT陶瓷、Ba-PZT陶瓷、PLZT陶瓷，一般是第二项其主导作用，那么，该类铁电陶瓷在电场的作用下按照电场的平方关系产生相应的应变： （1.1.2） 这是电致伸缩材料相比于压电材料的一个重要的特点，即在相同的电压驱动下，电致伸缩材料的位移伸缩量比压电材料的位移伸缩量大得多，并与电场的大小成平方关系。 那么，只要测出电场作用下的应变量，在已知应变量与电场函数关系的前提下，就可求出相应的电场强度大小。 （二）电致伸缩材料应变伸缩量的测量 光纤相位调节机制 光纤相位调制机理利用光相位调制机理来实现一些物理量的测量可以极大提高测量的灵敏度。利用光纤作为干涉仪的光路，结合干涉仪就可以制得基于光纤相位调节机理的相位调制元件。 光纤在应变力的作用下产生微小的长度变化，同时光纤半径、感应折射率也会发生相应的变化，那么通过光纤传播的光就产生了与应变伸缩量相应的相位变化，通过干涉仪对相位偏移的测量，就能测出相应应变的大小。下面是光纤在应力应变效应情况下的相位分析。 光纤在应力作用下，其长度、芯径、纤芯折射率都会发生相应的变化，这些变化将导致光波的相位变化。光波通过长度为L的光纤后，出射光波的相位延迟为 （2.1.1） 式中为光波在光纤中的传播常数，是光波在光纤中的传播波长，是光在真空中的传播波长，在只考虑光纤长度变化所产生的相位偏移时，相位偏移 （2..1.2） 事实上，光波在应变效应的作用下，其相位的变化可以写成如下形式 （2.1.3） a为纤芯半径；第一项表示由光纤长度变化引起的相位变化（应变效应），第二项表示感应折射率变化引起的相位变化（光隙效应），第三项表示光纤的半径改变所长生的相位变化（泊松效应）。考虑光纤纵向应变、径向应变、光弹效应、感应折射率引起的相位变化之后，（2..1.2）式应加上一修正项ξ，即 （2.1.4） 通过查找资料可以得到，对于单模光纤 （2.1.5） 式中修正项ξ成为光纤应变系数，ν为泊松比，p12、p11为光纤的光弹系数，n为纤芯折射率。对于硅光纤，各个参数为 ， ， ， 。 这个修正项可以通过实验定标测得，或者干脆通过定标的方式，对一定范围内的光纤长度变化与相位偏移进行定标。 光纤相位调节机制与电致伸缩材料的结合 图1所示是一个电场测量元件的探头，中间为方形电致伸缩材料，用两个半圆形片抵住材料的两个面，然后在外围用光纤紧绕m圈，材料在电场