多晶暗纹及其对太阳电池性能的影响.pdfVIP

曹育红、王继磊、倪志春、 多晶硅太阳电池表面 赵建华、王艾华 中电电气（南京）光伏有限公司 “暗纹”及其对太阳 电池性能的影响 摘要: 研究了多晶硅酸制绒产生的表面“暗纹”，通过LSM观察发现其在形成初期为彼此不相连的相邻腐蚀坑洞，随 着腐蚀的加深，腐蚀坑洞不断变大，并逐渐连成一条线，最终形成“暗纹”。通过分析其微观形貌及与单晶硅缺陷比 较，“暗纹”为一系列相邻位错的表面“露头”，即小角晶界被酸腐蚀后相连而形成。同时各种测试结果显示“暗 纹”区少子寿命降低、EL和QE响应变差，“暗纹”的数量及分布直接影响多晶硅太阳电池的电性能。 前言 商业化硅基太阳电池分为晶体硅 太阳电池和硅基薄膜太阳电池两种， 目前晶体硅太阳电池占较大的市场份 额，且未来10年其主导地位仍不会发 生根本改变[1]。晶体硅太阳电池又分 单晶硅和多晶硅，尽管多晶硅太阳电 池效率低于单晶硅太阳电池，但由于 （a） （b） 其材料制作成本低于单晶硅，比单晶 硅电池更具有降低成本的潜力，因此 今后相当长时期内多晶太阳电池仍将 是太阳电池市场的主流。 为了提高多晶硅太阳电池的转换 效率，增强其市场竞争力，人们研究 了表面织构化、快速热处理、基体材 料杂质吸除、表面钝化和体钝化等方 法[2]。但多晶硅太阳电池效率若要有 （c） （d） 所突破，多晶硅材料的性能提升至关 重要。多晶硅的“缺陷工程”，[3-9] 图一：“暗纹”的形成过程 即通过人工方法控制多晶硅的微观结 构从而提高多晶硅材料性能，已逐渐 受到业内人士的重视。提高多晶硅铸 图一。 的腐蚀坑洞也在逐步变大。 锭技术，减少多晶硅缺陷是硅材料重 图一显示了“暗纹”的形成过 图一显示的“暗纹”形成过程可 要的发展方向。 程，图一（a）~（b）分别是腐蚀时间 概括为：在形成初期为彼此不相连的 目前多晶硅太阳电池表面织构 为30s、60s、90s和180s的多晶表面“ 相邻腐蚀坑洞，随着腐蚀时间的进一 化普遍采用硝酸加氢氟酸的酸制绒体 暗纹”Lasre scanning microscopy 步延长，腐蚀坑洞不断变大，并逐渐 系，酸腐蚀后硅片表面一般会出现数 (LSM)图片。从图一（a）可以看出， 连成一条线，最终形成“暗纹”。 量和分布毫无规律的“暗纹”。初步 腐蚀初期，硅片表面形成了一系列相 研究发现“暗纹”与多晶硅太阳电池 邻的腐蚀坑洞，互不相连，有些基本 “暗纹”的形成机理 电性能有直接联系，因此本文将对“ 处在一条线上，有些则分布比较零 从“暗纹”的形成过程看，腐蚀 暗纹”的形成过程、形成机理以及“ 散；图一（b）中，随着腐蚀时间的延 坑洞是确定“暗纹”性质，解释其形 暗纹”的性质进行研究，并关注其对 长，部分坑洞长大并相连，出现了比 成机理的重要着眼点。首先腐蚀坑洞 多晶太阳电池电性能的影响。 较完整的“暗纹”，部分坑洞由于长 相对硅片其他区域更容易被腐蚀，这 得不够大，或相距较远，还没有形成 种现象从腐蚀初期到过度腐蚀均能体 “暗纹”形成过程及形成机理 完整“暗纹”；图一（c）显示的是腐 现；其次在“暗纹”以外的区域存在 蚀90s后的LSM图片，与图一（a）和图 一些分布不规则的腐蚀坑洞，其形状 “暗纹”形成过程 一（b）相比“暗纹”加深并加宽，且 和腐蚀过程中的变化与连成“暗纹” 为了观察“暗纹”的形成过