天津大学半导体物理考研真题.docVIP

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2017-08-17 发布于湖北
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天津大学半导体物理考研真题.doc

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天津大学半导体物理考研真题.doc

天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题解释 1.有效质量 2.空穴 3.热载流子 4.杂质补偿 5.异质结 6.势垒电容/扩散电容 7.准费米能级 8.简并半导体 9.禁带变窄效应二．简述 1.理想半导体理想PN结模型 MIS结构产生激光发射的条件硅和砷化镓能带结构哪个更适合做光源材料，为什么？晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加V/m,V/m电场时，分别计算电子自能带底运动到能带顶所用的时间写出本征费米能级的表达式，并简单说明其位置为什么为于禁带中央？解释电阻率随温度变化的关系。证明爱因斯坦方程式画出PN结正偏和反偏时的能带图有关势垒电容的计算画出MIS结构C-V特性曲线并作简要描述请说明异质结是如何实现激光器所要求的分布反转条件。简要描述光电池的工作原理写出光电池的伏安特性方程，并画出和随光强度的变化曲线。十四．简述PN结注入发光原理天津大学813微电子学与固体电子学半导体物理考研真题，资料一直更新中更多资料请加QQ：156110013