电路与电子技术应用基础教学配套课件谭维瑜第14章14.3.pdfVIP

14.3 静态RAM(SRAM) 14.3.1 SRAM 基本存储单元 14.3.2 SRAM 基本结构 教学要求 1.熟悉SRAM 的基本单元 2.掌握SRAM 的结构 14.3 第 14 章 存储器 14.3 静态RAM(SRAM) 双极型 RAM 的存取速度高, 可达 10ns 以上, 但功耗较大, 集成度较低; MOS 型RAM 功耗小, 集成度高, 动态RAM 单片存储容量可达几百兆以上。 14.3.1 SRAM 基本存储单元 图14-5a) SRAM 基本存储单元 基本存储单元是构成存储器的核心部件。 要使存储器兼有读写功能., 基本存储单元应 采用触发器。图 14-5a)存储单元中T ,T 两个增强型NMOS 管和G G 两个反相器组成 1 2 1 2 的存储单元。两个反相器的输入,输出交叉耦合, 构成一个具有两个稳态(双稳态)触发器 作为存储信息的基本单元。 14.3.1-1 14.3.2 SRAM 基本存储单元 当Q=0 , =1 时为0 态；Q=1 , =0 时为1 态。T 、T 是门控管, Q Q 1 2 由地址译码器输出的字线W1控制其导通或截止。 当W =0 时, 字线未选中, 门控管T 、T 截止,触发器处于保持 1 1 2 状态,不对该字进行读写操作。 当W =1 时, 字线被选中, 门控管T 、T 导通,此时可进行读写操 1 1 W 作。在图 14-5a)中, 读/写信息(R/ )通过 MOS 三态门G 、G 、G 3 4 5 进行读写控制。 14.3.1-2 14.3 静态RAM(SRAM) 当写入时, W / =0, 使三态门G 、G 导通, 三态门G 处于高阻状态, R 3 5 4 此时I/O 端的输入信号便经 D D 、D 送到数据线 、D 上,再经T 、T 3 、 6 5 D 1 2 W 存入双稳态触发器；当读出时, / =1, 三态门G 、G 处于高阻状态,G R 3 5 4 导通, 双稳