半导体物理与器件课件教学配套课件裴素华第2章PN结机理与特性.pdfVIP

第二章 PN结机理与特性 2.1 平衡PN结的机理与特性 2.1.1 PN结的制备与杂质分布 在N型(或P型)半导体单晶片衬底上，分别采用不同的 掺杂方法，使原来半导体的一部分变成P型，（或N 型），那么在P型半导体与N型半导体的交界面处就形 成了PN结，如图  合金法及其杂质分布 合金法制备PN结的基本过程如图所示  扩散法及其杂质分布 用扩散法制备PN结的基本过程如图 扩散结的形成过程 a ）氧化b）光刻c ）P型杂质的扩散d ）  离子注入法及杂质分布 扩展结的杂质分布 a ）恒定源杂质的分布b）限定源杂质的分布c ）线性源变节近似 离子注入PN结及其杂质分布  外延生长法 2.1.2 平衡PN结形成与能带  1 平衡PN结形成 平衡PN结空间电荷区 的形成 a ）P区与N区载流子 扩散 b）PN结空间电 荷区 平衡PN结表现出来的3个主要特征： 1. 通过平衡PN结的静电流为零； 2.在空间电荷区，两侧正负空间电荷数量相等； 3.空间电荷区以外的N型区和P型区仍是电中性的。  2 平衡PN结的能带图 平衡PN结的能带图 a ）N型、P型半导体的能带b）平衡PN结的能带 平衡PN结费米能级时处处相等的（证明见教材） 2.1.3 平衡PN结的接触电势差 由于平衡PN结空间电荷区内存在自建电场， 使得N区和P区之间存在电势差，把这个电势 差称为PN结的接触电势差，用UD表示。 T N N U ln D A D 2 q ni 2.1.4 平衡PN结的载流子浓度分布 平衡PN结的载流子浓度分布如图。在空间电荷区靠P边界X 处， P 电子浓度等于P区的平衡少子浓度nP0，而空穴浓度等于P区的平衡 多子浓度P ；在空间电荷区靠N边界X 处，空穴浓度等于N区的 P0 N 平衡少子浓度PN0，而电子浓度等于N区的平衡多子浓度nN0 ；在空 间电荷区之内，空穴浓度从X 处的p 减小到X 处的p ，电子浓 P P0 N N0 度从X 处的n 减小到X 处的n 。 N N0 P P0 平衡PN结载流子浓度分布 a ）U （x ）分布b）能带c ）载流子浓 度分布 2.2 正向PN结机理与特性 2.2.1 正向偏置与正向注入效应 正向偏置时PN结势垒变化及其能带图 2.2.2 正向PN结边界少子浓度和少子浓度 分布 1.边界少子浓度 正向PN结少子浓度分布示意图 边界少子浓度是指在空间电荷区靠N区边界X 处的空穴 N 浓度p （X ）和靠近P区边界X 处的电子浓度n （X ）。 N P P