纳米氧化锌半导体块材晶粒生长地研究.pdfVIP

秦秀娟 等：纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究 1201 纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究* ∗ 1,2 1,2 2 2 秦秀娟 ，邵光杰 ，王文魁 ，刘日平 (1. 燕山大学 环境与化学工程系，河北 秦皇岛 066004 ； 2. 河北省亚稳材料制备技术与科学重点实验室，河北 秦皇岛 066004 ） 摘 要：以平均粒径20nm 的ZnO 超微粉为原料，研 （2 ）纳米块体中，晶粒的细化使材料不易造成穿晶 究了纳米ZnO 块材烧结过程中的晶粒生长行为，由 断裂，有利于提高材料韧性；细化的晶粒有助于晶粒 实验结果得出：在700~900℃温度范围内，纳米ZnO 间的滑移，使材料具有塑性行为；晶粒的细化还可以 烧结的晶粒生长动力学指数n 为6，晶粒生长的表观 使陶瓷材料的强度大大提高[6,7] 。 活化能Q 为64kJ/mol ，导出了纳米ZnO 的晶粒生长 目前纳米烧结研究比较多的有 ZrO 、AI O 、 2 2 3 动力学方程。与粗晶 ZnO 的晶粒生长进行了对比， TiO2[8,9] 。半导体纳米 ZnO 低密块材的阻抗谱已有报 初步分析了纳米ZnO 的烧结机制。 [10] 道 。但纳米 ZnO 烧结过程中纳米晶粒生长的研究 关键词：纳米烧结；ZnO 纳米块材；晶粒生长的动力 未见报道。本文以平均粒径20nm 的ZnO 为原料研究 学指数；表观活化能 了烧结过程中晶粒生长的规律，应用晶粒生长唯象理 中图分类号：TN304.21；TB383 文献标识码：A 论的动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和表 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 观活化能，并与粗晶材料的烧结做了对比，初步探讨 了纳米ZnO 烧结的机理。为半导体材料纳米ZnO 的 1 引 言 烧结及应用奠定了基础。 氧化锌陶瓷因其具有非线性电流电压特性（且非 2 实 验 线性系数是所有半导体材料中最高的）而广泛应用于 电子器件[1~5] 。ZnO 压敏陶瓷是典型的由晶粒大小、 本实验所用纳米 ZnO 粉体由课题组制备，方法 晶界结构控制其宏观性能的材料。ZnO 晶粒大小和晶 见文献[11]。将纳米 ZnO 粉在玛瑙研钵中研磨 0.5h 界层数量直接影响击穿电压的高低。另外，多晶陶瓷 以打碎粉体产生的团聚，用电子天平精确称重 的许多其它性能也取决其微结构。近年来，关于ZnO (0.0001g)后预压制成Φ8mm ×2mm 的圆片(500MPa) 。 基陶瓷的烧结和晶粒生长的研究已有很多报道[1~5] 。 素坯密度为理论密度的 48% ，在空气中进行常压烧 人们围绕着烧结体的致密化和控制烧结体的晶粒生 结。烧结制度为：先将炉温升到预定温度，将素坯样 长进行了大量的研究。据报道，掺有纳米 ZnO 的粗 品放入炉中平衡3~5 min ，保温规定时间后取出样品， 晶 ZnO 的烧结体具有更高的击穿电压、更大的非线 空气中冷却至室温。烧结体的晶粒尺寸用X 射线衍射 性系数、较低的漏电电流。且上述性能有随纳米ZnO 仪D/