RTP工艺中铝背场吸杂对硅片少子寿命影响地研究.pdfVIP

RTP工艺中铝背场吸杂对硅片少子寿命影响的研究① 任丙彦1 左 燕1 霍秀敏1 傅洪波1 励旭东2 王文静2 许 颖2 赵玉文2 1河北工业大学，天津，3001302北京太阳能研究所，jE京，100083 Email：hdanie—adam@sohu．com 摘要：本文采用P(i00CZ硅片制作硅光单体电池，并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究。 实验发现：快速热退火工艺对wafer少子寿命有一定影响，硅片经铝背场烧结后寿命变化更加 明显，而且氧、碳形态也发生了变化。适当的RTP工艺促成以氧沉淀为主体的络舍体。络合。 体的吸杂厦Al—Si界面晶格失配造成的应力吸附作用减少了戴流子的复合中心。从而提高了 光生我流子的扩散长度，使少子寿命提高。 关键词：RTP吸杂少子寿命氧沉淀 thermal suitableforindustrialsiliconsolarcell Abstract：Rapidprocessing(RTP)is the showsa influenceonthe processes，especiallyplateau stablelifetime． temperaturestrong RTPcanincreasethe carrier1ifetimeofCZ-Siwafer，whileA1BSF Optimized minority undersuitableheattreatmentthe and sintering latticestress oxygenprecipitationcrystal absorbed the metal andvacancies increasedthediffusionof heavy impurities effectively．It decreased of and minoritycarriers，so thecarrier compoundselectron-cavityifnproved lifetime． the Keywords：RTP carrierlifetime getteringminority oxygenprecipitation 1弓l言 2实验 RTP(快速热退火)工艺是太阳能电池制造中 实验中采用舶样品为P(100)直拉单晶硅片，初 一种较理想的热处理工艺，因为这种工艺不仅可降 始厚度为400ttm左右，经纯掣减薅后为370pm左 低成本、缩短热循环周期，而且可以有效地提高硅光 右，电阻率范圈在0．8～20·cnl。 单体电池的光电转换效率。这种工艺是将硅片快速 首先避过Fourier变换红外谱仪测试得到原始 升温至某一温度(plateautemperature)，并在此温 度下短时保温后自然冷却。实验证明：选择适当的 快速热退火条件可有效提高单晶siliconwafer的非 平衡少子寿命，而且晶体内部的缺陷浓度也有所降 低“]。直拉单晶硅片经