大面积Si-PIN探测器死层厚度测量.pdfVIP

全国第四届核仪器及其应用学术会议论文集 Instrument＆Its onNuclear Application Conference 4thNational ofthe Proceedings 大面积Si—PIN探测器死层厚度测量 张国光，张显鹏，李北京 (西北核技术研究所，陕西西安69信箱9分箱710613) 摘要：利用z弛Pu(源，通过不同角度下多道能谱峰位的移动大小，测量大面积Si—PIN探测器的死层厚度。实 验结果表明此类si—PIN探测器的死层在100rim左右，要薄于以前的PIN探测器。 关键词：PIN探测器死层多道谱仪 O引言 716％；5456．5keV，283％；5357．7keV 在脉冲中子诊断过程中，Si—PIN是一种 常规的探测器，它具有较大的线性电流和较快 的时间响应。针对利用PIN探测器探测裂变 碎片的工作，需要研究裂变碎片在前死层中的 能量损失，如何测出探测器的死层厚度四一个 必须解决的问题。 制作PIN探测器时用离子注入方法在硅 片两面制作P+和n+层，当在两极加上反偏压 以后，在前后两窗会形成一定梯度的电场。在 金面的近硅层的电场几乎为零，在P+和n+层 图1 si—PIN探测器结构和场强示意图 电场由外向内逐渐递升，在本征层内电场为一 0 1％。实验中选前两种能量的n粒子作为测 常数。在P+和n+层中，由于电场较弱，产生的量对象，第三种强度太低，忽略。由于源区和探 电子和空穴慢慢地扩散到本征区，然后才被收 测器面积较大，我们使用了两片tblomm的准直 集。当扩散时间大于被探测射线的脉冲持续时 器光栏。真空容器上有角度刻度线，实验中源 间时，它们不会作为信号输出，因而探测器前后 面法线与探测器法线夹角选择0。、30。、60。三种 这部分区域我们通常称之为“死层”(Dead Lay— 方向。探测器输出信号经前放、主放到微机多 ers)。 遭进行记录分析。源与探测器的几何布局如图 图1为PIN探测器的结构和电场分布示 2所示，测量系统框图如图3所示。 意图。“死层”厚度与P+和n+层的离子注入深 在0。方向，我们利用2”Pu的n粒子刻度好 度有关，表面镀金电极也有一定的影响。 多道，然后转动到30。测量相同的时间，再测60。 的情况。 1测量原理 如前所述，死层内的辐射是不会被探测的， 因而这部分会形成测量幅度损失，表现在多道 谱仪上会出现能量峰位前移。 我们选用2”Pu平面源的(作为入射粒子， 探测器选用}40mm，250“m的PIN探测器。 2”Pu平面源的a粒子有三种能量：54992keV， 图2源与探测器的几何布局示意图 ·193 蠢 Ⅱ源 图3测量系统方框图 设前死层厚度为d，转动角为0，(dE／ 一 dX)。为在0角处的a粒子在硅中的阻止本领。 E。=E。一』。dl猫dE)。dx (1) (2) E2-E0-r(觏ax E。为(粒子入射能量，El为以Eo能量、0。 方向入射的a粒