脉冲激光沉积制备MgNiO薄膜及其结构性能研究.pdfVIP

第十六一全啊化合锄半导体．做波嚣停和光电肆件拳术●议 W,tJF’2010 投稿分类号：MGC i O薄膜及其结构性能研究 脉冲激光沉积制备MgN 郭艳敏，朱丽萍‘，杨治国，蒋杰，叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江杭州3100”) 摘要：采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英衬底卜制各了MgNiO薄膜，研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优 薄膜的禁带宽度达到5．15eV，町应用rH盲区紫外探测。 关键词： 脉冲激光沉积(PLD)，MgNiO薄膜，紫外探测器 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： andcharacterizationof films laser Preparation MgNiObypulsed