由二氧化硅图案选择性生长GaN薄膜的斜侧壁方面的InGaN发光二极管.docVIP

选择性生长GaN薄膜的二氧化硅斜侧壁InGaN发光二极管 Jinn-Kong Sheu,1,* Kuo-Hua Chang,1 Shang-Ju Tu,1 Ming-Lun Lee,1,2 Chih-Ciao Yang,1 Che-Kang Hsu,1 and Wei-Chih Lai1 1光电科学与工程学院,先进的光电技术中心和中心为微/纳米科学与技术,国家成功大学,70101,台湾台南市 2部门的光电工程、南台湾大学,台南,台湾 * jksheu@mail.ncku.edu.tw :在这项研究中,基于氮化镓发光二极管(led)和自然形成的斜壁 (OSFs)是通过选择性再生过程。二氧化硅层是在掺杂n模板层而不是蓝宝石衬底。因此,外围的几个OSFs LED在GaN。在处理、干蚀刻曝光了n gan底层层以形成欧姆接触的n型是不必要的。这可能是由于这样的事实,即n gan模板层与一个电子浓度约8×1018 /立方厘米被曝光后,去除二氧化硅掩模层。与注入电流20 mA,基于氮化镓发光二极管与OSFs表现出21%的增强在光输出与那些有垂直侧壁面。增强是光子提取OSFs可以减少内部吸收损失。?2010美国光学学会 OCIS代码:(230.3670)发光二极管;(230.0250)(230.5590)光电子学;量子阱设备。 引用和链接1．e . f·舒伯特,发光二极管,pp.150 - 160(第二版,剑桥大学出版社、剑桥,英国,2006)。 2x。a .曹王圣洁Pearton,a .张平,g . t .铛,f . Ren,r . j .,l . Zhang出r·海克曼和j·m·范·霍夫,“电效应的等离子体损伤在p gan”,达成。》。列托人。75(17),2569(1999)。 3c·m·蔡,j·k·p·t·王,许凤,w·c·赖,s c . Shei王圣洁Chang Kuo,c . h,c . w .郭,y . k .苏”、“效率高、防静电特性的改进基于氮化镓发光二极管与自然纹理的表面增加了金属有机化学气相沉积”,IEEE光子。工艺。列托人。18(11),1213 - 1215(2006)(参考文献〕。 4j·k·许凤,c . m .蔡,m . l . Lee,s . c和w·c·赖Shei,,“InGaN发光二极管与自然形成的截断micropyramids上表面,”达成协议。》。列托人。88(11),113505(2006)。5．c . s . Chang王圣洁Chang,c·t·y·k·苏·李,y,w·c·赖c .林,美国Shei,j . c . c,h . m . Lo柯”,基于氮化led灯与变形侧墙”,IEEE光子。工艺。列托人。16(3),750 - 752(2004)。 6j s。李,j·李,美国金,和h .琼”,基于氮化镓发光二极管结构与单片集成侧壁偏转装置增强表面发射,“IEEE光子。工艺。列托人。18(15),1588 - 1590(2006)。 7c . c . Kao,h·c·郭,h·w·j·t·楚黄,y,y·l·c·彭谢长廷,c . y . c罗,美国王家声,玉,和c·f·林,”在一个氮化光输出增强基于发光二极管与22°削弱侧墙,“IEEE光子。工艺。列托人。17(1),19 - 21日(2005年)。 8j·k·许凤,j·m·蔡,s . c . Shei,w . c .赖,t . c,c·h·温口,y·k·苏王圣洁Chang和g·c·卡,“低-操作电压的InGaN /氮化镓发光二极管和硅掺杂In0。3 ga0。7 n /氮化镓短周期超晶格隧道接触层,“IEEE电子设备列托人。22(10),460 - 462(2001)。 9h . g . Kim Jeong Cuong t . v . s . h,h,吴宇森,o . h . Cha,e k。Suh,c h。香港,h·k·赵,b . h .香港,和m . s .桢,“空间分布的皇冠形状的光发射从周期性倒多边形偏转器嵌入在一个InGaN /氮化镓发光二极管,“达成。》。列托人。92(6),061118(2008)。 在GaN /蓝宝石基板上通过气象汽相外延,“j .结晶的。增长144(3 - 4),133 - 140(1994)。(10。y加藤,s北村,k,n . Sawaki Hiramatsu,“选择性生长氮化镓的纤锌矿和AlxGa1 xN 11m·l·李,j·k·c·c·胡许凤,,“Nonalloyed Cr /非盟建立欧姆接触到ngan”,达成。》。列托人。91(18),182106(2007)。# 134305 - 15.00美元美元2010年8月31日收到;修订2010年9月29日,接受了2010年9月30日,2010年10月11日发布 (C)20