电子束蒸发沉积ITO透明导电薄膜的物理性质的探究.pdfVIP

第九届全国LED产业研讨与学术审议论文秦 ———————————————————————————————————————————————一———————————————————一 电子束蒸发沉积IT0透明导电薄膜的物理性质研究 田洪涛谢雪峰吴启保 方大集团股份有限公司 广东 深圳 518055 摘要：介绍电子束蒸发沉积ITO薄膜的方块电阻、透光性和厚度之间的关系 关键词：ITO薄膜光透射率方块电阻 一、引言 tin 氧化铟锡薄膜(Indium 可见光区透过率(在可见光波段的光透射率高于80％)”]。与其它透明导电薄膜相比，ITO薄膜还具有良好的 化学稳定性、热稳定性、对衬底具有很好的附着性以及良好的图形加工特性，是理想的透明导电薄膜，在光电 器件的透明电极领域得到广泛应用。近年来GaN基LED白光照明逐渐进入实用阶段，导电性好透光率高的电 效率大幅度提高o)。 时，反而会降低导带中的电子密度，在常规的反应蒸发沉积工艺中，如果基片温度较低可能导致氧化反应不 充分，则掺入的sn将主要以SnO的形式存在，从而造成低的载流子浓度和高的电阻率，因而为了获得高透光 加温后处理，使SnO转变成SnO：，以降低膜的电阻率。ITO薄膜的光学及电学性能主要决定于它们的结构和化 学配比，制备条件直接影响薄膜的结构和性质o]。 目前制备ITO薄膜方法有蒸发、磁控溅射、反应离子镀、化学汽相沉积、热解喷涂等，本文采讨论用电子柬 加热蒸镀的方法制备ITO薄膜，并研究ITO薄膜光电特性。 二、实验 1TO膜的制备 采用电子束加热真空蒸镀的方法制备ITO膜，即利用高能电子束轰击铟、锡氧化物混合原料表面，使其升 华，然后遇冷沉积到衬底上形成ITO膜。这种方法严格的工艺参数较少，操作和控制膜生长相对容易，制备的 薄膜不会产生很多不可控杂质，严格控制薄膜的生长速率，不需经过热处理就能制备性能良好的ITO膜，而且 适合大规模工业生产。 实验设备为台湾倍强公司制造的E600电子束镀膜机(如图1所示)。IT0源采用热压块锭，选用载波片作 Dektck3STSurface 空度5．Oxl04torr。氧气流量20scem。采用台阶仪(型号Veeco Profiler)测量1TO薄膜厚度， ElnerLambda UV／VIS／ 四探针电阻率测试仪(型号SDY一4)测量ITO薄膜方块电阻，分光光谱仪(型号Perkin NIR Spectrometer)钡tJ量ITO薄膜的光透过率。 第九届全国LED产业研讨与学术·争议论文集 氧气流 c=毒 围1电子束镀膜系统简图 三、实验结果与讨论 通常，在工艺技术上用3个指标衡量导电薄膜的性能：①薄膜的光学透过率，②薄膜的膜层厚度，③薄膜 的膜层方块电阻。这3项指标彼此相关：膜层越厚，透光率越差，膜层方块电阻会变小。反之，膜层越薄，光透 过率越好，膜层方块电阻会变大。作为透明电极，人们希望IT0薄膜的导电性好，同时光透过率也高。我们对 电子束蒸镀的ITD薄膜在可见光范围内光透过率进行测量，测量原理如图2所示。 半透膜 探测器 探测器