电化学沉积法制备高氮含量纳米级CN-%2cx-薄膜与其光电性能的研究.pdfVIP

电化学沉积法制备高氮含量纳米级 GNz薄膜及其光电性能的研究。 张家涛。曹g-宝朱鹤孙 (北京理工大学材料科学研究中。北京100081) 摘要 以Si(100)片和I，r0导电玻璃为衬底，用电化学沉积二氰二胺的饱和丙 酮溶液为沉积液，得到了氮碳比接近或大于1的CN，薄膜。用XPS、Fl、IR手段 对薄膜中的元素组成、氮碳元素的存在状态进行了研究．结果表明，薄膜中元素包 括c、N、o，氮、碳主要以DN单键、c—N双键存在．氧含量在5％～6％左右，以 吸附氧为主。SFM图谱表明，薄膜致密、平滑，以均匀的纳米级CN，颗粒组成。 I’L光谱显示在2．8～3．4eV之间有较强的发射峰，随着氮含量的升高，发射峰的 位置变化不大，但是强度有所变化。利用Tauc UV—Vis吸收光谱进行处理，结果表明薄膜的能带(E。。)由1．0～1．7eV之间，随着 氯含量的升高，E洲降低。利用超高电阻仪测量硅片为衬底的薄膜电阻率为109～ lO“’n·cm，1TO导电玻璃为衬底的薄膜的电阻率为10“～10”n·cm之间。 关键词CN，薄膜电化学沉积 光学 电阻率 ＼ 1引言 模最可与金刚石相比拟。C3N。薄膜的人工合成方法目前主要有：电子回旋共振化学气相沉 学、场发射_8，…、生物相容性¨叫等性质进行了研究，发现TCN，薄膜在电子、光学等方面的 应用前景。电化学沉积法是在室温和常压下制备薄膜材料，设备简单，能大面积成膜，越来 越受到广泛的关注。在本论文中，我们通过阴极沉积制备得到了与衬底结合较好的CN，薄 膜．并初步研究r薄膜的光电性能，这为其实际应用打下基础， 2实验部分 。国家自然科学基金(批准号和国家教育部博上点基金(批准‘；：B123)资助J贝¨ ●张家涛：男，1975年11月生，在读硕士研究生；现从事低维无机信息功能材料的研究；通信地址：北京理工大学 corn 材判科学研究中心；邮编：100081；电话：010电子信箱：zjtseagull@sirra 电化学沉积法制备高氯含量纳米级CN，薄膜及其光电性能的研究 2011 InlTl×10 的饱和溶液。用20 mm大小的单晶硅(100)片和同样大小的ITO导电玻璃作为阴 圾，阳极为石墨电极，阴、阳极之间距离为81111，r1。沉积之前．衬底先用10％(体积百分比)的 min。用高频脉冲调制电源 HF溶液浸泡，然后用无水乙醇(AR)和丙酮(AR)超声洗涤各5 kHz，脉冲占空比0．8)作为能量来源。我们用 (电压为1000～2000V，脉冲调制频率7 eV为x射线激发源)对 KSAM800型光电子能谱仪(KrotosCo．，England，以AlK。1486．6 2000 薄膜中存在的元素、氮碳元素含量比及碳氮元素的键合状态进行了表征；采用system 傅里叶红外(PerkinCo．，American)光谱测试了薄膜中的主要官能团；利用紫外町见光致 发光系统(以氦镉激光器激发的325nyn的激光为光源)和UV3101紫外可见吸收光谱对薄 膜的光学性能进行了研究；用ZC43型高阻仪对薄膜的电阻率进行r测试；采用JSM一35C扫 描电子显微镜对得到的CN，薄膜的表面形貌进行了表征。 3结果与讨论 x射线光电子能谱能够描述元素的不同键合状态下结合能的微小差别，因此我们通过 【‘、N的不同结合能来得到其键合状态。沉积得到的CN，薄膜的氮碳原子含量比由公式： 0．41和0．24分别为N和c的灵敏度系数)来计算。由此方法得到，导电玻璃上沉积的 UN，薄膜N：C达到1．08，NIs占48．75％，C1s占45．37