基于BiCMOS制作技术的探讨和研究.pdfVIP

2004年第18卷增刊 测 试 技 术学报 V01．I8Supp．2004 JoURNALOFTESTANDMEASUREMENTTECHNOLOGY 基于BiCMOS制作技术的探讨与研究 鄢云 (两安航空技术高等专科学校两安710077) 摘要： 此义从最简单盛基_率的三重扩散3DBiCMOS制作T艺技术八于，分析rBiCMOS制作T岂的特缸， 重点探讨，双阱BiCMOS工艺处理方法，进行r 制作丁艺及性能提高的前景进行探讨与研究。 关键词；CMOS、双极品休管、BiCMOS、扩散、注入、外延层、n阱、P阱 一、引言 论基础是依据恒电场按比例缩小原理(CE down IC的特征线宽等有关 Scalingprinciple)，即CMOS 尺寸缩小n倍，Lb路速度可增加fl倍，单元电路的功耗F降Q2倍，而单位芯片面积的功耗则可保持 不变。同步发展的还有硅