毫米波MEMS移相器芯片级封装的探究.pdfVIP

毫米波MEMS移相器芯片级封装研究 贺训军2金博识1唐恺1傅佳辉1秦月梅1杨彩田1吴群1 1．哈尔滨工业大学，黑龙江150001，2．哈尔滨理工大学，黑龙江150080 摘要：本文首先阐述毫米波MEMS移相器芯片级封装方法和信号馈通方式。通过分析芯片 级封装方法和信号线互连方式对毫米波MEMS移相器的成本、重量、尺寸、损耗和功能的 影响，提出一种适用于毫米波MEMS移相器的新型封装结构，该结构采用拥有垂直信号线 互连的薄硅作为MEMS器件的衬底，并用芯片微封装方法对MEMS器件进行封装。该新型 封装结构具有许多优点，例如芯片微封装方法不仅降低寄生效应，而且也能与MEMS器件 的制作工艺兼容；而穿过薄硅的垂直信号线互连能降低寄生电容，缩短互连电路连线，利于 表面贴装。因此，新型封装结构能明显降低电路的损耗和制备成本，从而改进了毫米波MEMS 移相器的性能。 关键词：毫米波，MEMS，移相器，芯片级封装，信号线互连方式 1 引言 MEMS技术的出现和迅速发展引起人们广泛地注意，被认为是一种非常有前途的技术， 适合设计高性能MEMS移相器一毫米波分布式MEMS移相器。该移相器的结构特点是在共面 波导上