同轴FC对质子脉冲的时间响应实验研究.pdfVIP

第9届全国楼电子学与接探测技术学术年会论文集 of t}Ie Con衙翎∞∞NIlcI∞r 9椭№ti∞al Proceedings EIec舯∞b＆№cIear洲两T∞删。科 同轴FC对质子脉冲的时间响应实验研究 黄龙生 张国光宋纪文漆映涛 (西北核技术研究所．西安，710024) 周祖英祁步嘉唐洪庆周陈维 阮锡超杨丙凡柯茸建 (中国原子能科学研究院校物理所，北京，102413) 本文详细分析了高强度脉冲中于测量中使用的Fc的时问响应特性。重点介绍丁Fc的时问响应的嗣量 方法和系统．特性阻抗50W、抑翻电压一2kv的同轴Fc对Mev级柏量的质子脉冲的时同响应nr知H小于 l血。加抑制电压生改善时间响应性能． 关簟词：法拉第筒时阿响应=次电子棱探测嚣 1引言 特性阻抗为5dw的带有抑制栅的同轴法拉第筒(以下简称Hc)反冲聚乙烯靶组成的飞行 时间反冲质子阕值法中子探测系统(见图1)，以其中子探测灵敏度低(10-”～lo一4c·∞t／ n)、时间响应快(2m)的特点，在高强度脉冲聚变中子测量中多次使用。已成为一种常规聚变 中子探测系统．然而有关它的实验室标定数据很少．特别是对质子入射的时同响应函数测量数 据一个也没有． 我们使用的FC探测系统的时间响应由三部分组成：一是中子和聚乙烯作用产生的反冲 质子源是一个面源，反冲质子由于出射角度和出射能谱分布．使得反冲质子从产生到被接收摄 收集，其飞行时间是不一样的，即飞行时间被展宽了，记其晨宽函数为G1(t)，Gl(t)与聚乙烯 靶和吸收片的面密度、柬瘟半径、接收极半径和聚乙烯靶到接收摄之间的距离等参数有关，可 由计算程序计算．一般不能把G1(t)看成8脉冲，通常G1(t)的冈喇[M≤1．5∞． 二是反冲质子在抑制电极和接收极之间的飞行时间．反冲质子打到接收极上，会引起二次 电子发射。由文献[1]知道，质子能量为6MeV时，二次电子的产额仍有o．28。因而二次电子对 FC收集效率的影响是不可忽咯的．消除二次电子发射对收集效率的影响的办法是在收集扳前 面适当距离上加抑制电极，利用抑嗣电场使发射出的二次电子回到接收扳上去．抑制极采用网 状电极，通常加一2kV．文献[2]给出二次电子能量的测量结果．最大约为20eV．假定二次电子 是垂直于接收极表面发射(即平行于抑制电场)，则二次电子由发射到回至接收极的时间厶铲 厶=6．752×10一‘丘“／￡ 则厶=o．3∞． 当单位库仑电荷的二次电子在抑制场内运动时，电极回路中的感生电流为。 f(f)=y0)／D 反冲质子在电极间飞行，接收极上将出现感生电流脉冲，其时间响应函数为： 141 G(t)=o G(幻=1胁o≤t≤≈ t≥t． 式中：如为反冲质子飞行时间，岛=o．7zz5D／掣2，单位m．耳为反冲质子能量，单位Mev．D 为极间距离，单位cm．如取D一2∞，耳一6MeV，则～一0．6∞． 三是Fc的电学特性。只考虑杂散电容的影响，它和特性阻抗尼形成船时间常数．其对8 脉冲的时间响应函数GI(t)。 q(t)=e1，r／r 式中：f=j≈C，G30)的FwHM约o．3～0．4m． 因此，FC探测系统总的时间响应函数G(I)是上述三个分响应函数的卷积： G(f)一(Gl∞+G1(t)f(t))Gl(I)*GI(f) 由上面的分析可以看出，要想整体标定FC探测系统的时问响应函数。必须有极强的a脉 冲中子源，目前这是不可能的． 我们不考虑聚乙烯靶这个因素．因此，上三项因素中就剩下后两项．由于许多参数不确定， 理论计筹Fc时闻响应十分田难，估算小于1∞．实验涓量也是非常困难的．其难处在于。—是 需要有一个合适的快质子脉冲源，