InAlN%2fAlN%2fGaN+HFET界面缺陷态探究.pdfVIP

InAlN/AlN/GaNHFET界面缺陷态研究 高三垒1林兆军1曹芝芳1栾崇彪1冯志红2王占国3 1山东大学物理学院，济南 250100 2专用集成电路国家重点实验室，石家庄 050051 3中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京 100083 摘要：当In组分为0.18时，由于InAlN和GaN晶格匹配，InAlN/A1N/GaNHFET成为新一代HFET的研究热点，本文通过平行电导 法计算界面缺陷态，发现存在快慢两种缺陷态，分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左 右，时间常数T～0.5-0.6us，界面缺陷态密度为l～3×lO12cm-2ev-1，说明虽然InAlN和6aN晶格匹配，但依然存在着比较大的界面 缺陷态。 关键词： InAlN/AlN/6aNHFET；界面缺陷态；平行电导法 TN386 A Theinvestigatio