气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究.pdfVIP

维普资讯 多永正 等：气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究 气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究宰 多永正，常永勤，郭佳林，龙 毅，强文江 (北京科技大学 材料科学与工程学院材料学系，北京 looo83) 摘 要： 研究了气相沉积方法制备的Co掺杂 ZnO纳 不尽相同，实验条件也不一样 ，所以关于Co掺杂 ZnO 米线的结构及其磁学性能。结果表明，Co离子代替zn 后RTFM 的起源还有待于进一步的探讨 ，本文采用非常 离子的位置进入 ZnO 晶格，样品的磁性能对实验条件 简单 的化学气相沉积 (chemicalvapordeposition， 的依赖性比较大，通入适量空气的条件下制备的样品具 CVD)方法制备 了Zn1．,Co,O纳米线，并且分析 了制备 有室温铁磁性。 条件对其磁学性能的影响 关键词： 气相沉积；Zn1C O；室温铁磁性 2 实 验 中图分类号： TB34 文献标识码：A 采用 CVD方法制备出Zn1．CoO纳米线。用 电子 文章编号： 1001．9731(2007)增刊．3025．03 天平按照重量比3：l称量高纯Zn和 CoCI2原料，两种 1 引 言 药品相邻放置在瓷舟中，用镀有 2nm厚Au膜的单品硅 片作为衬底，在距源约 4mm 的正上方来收集产物。将 在半导体中掺杂过渡族金属 (transitionmeta1)元 瓷舟置于管式炉中，用 Ar清洗石英管 5min (流量 素形成的稀磁半导体 (dilutedmagneticsemiconductors， 100ml／min)后将 Ar的流量保持在55ml／min。将管式炉 DMss)由于可以同时利用电子的电荷属性和 自旋属性 以 15℃／min的升温速度加热至 800℃并保温 120min。 而具有优异的磁、磁光、磁 电等性能，已经成为 自旋电 作为对比，还制备出未掺杂的ZnO，实验条件除了不放 子器件的支撑材料，它在高密度非易失性存储器、磁感 CoC12以外，其他条件相同。本实验过程和其他 CVD 应器、光隔离器、半导体集成电路、半导体激光器和 自 方法相比存在的明显的优势在于整个实验过程在常压 旋量子计算机等领域都有很广泛的应用前景 】【．2】。 下进行，不需要任何真空设备，这样可以简化实验过程， 作为一种宽禁带半导体材料，ZnO 具有优 良的压 减少实验成本。 电、光电、气敏等性质，主要应用于发光元件、光波导 为作对比当温度达到 800℃时，采用以下两种实验 器、场发射显示器、表面声波元件以及低压压敏电阻器 方案： 等 【．4】。目前在 ZnO 中掺杂入 Co离子形成的 ZnO基 (1)采用氧气袋通